大电流二极管器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种大电流二极管器件，包括2个二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座和引线架上，所述金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接；所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所述横金属板的中央具有2个向下外凸的焊接凸起块。本实用新型专利技术既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出。

【技术实现步骤摘要】
大电流二极管器件
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种大电流二极管器件。
技术介绍
二极管器件是一种具有单向传导电流的电子器件，在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性，广泛用于电子产品和通信等方面。一般来讲，贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性，而目前很多的贴片二极管的体积较大，因而不能满足市场上对于小型化和薄型化需求。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种大电流二极管器件，该大电流二极管器件既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种大电流二极管器件，包括2个二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大电流二极管器件，其特征在于：包括2个二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3），一环氧封装层（4）包覆于2个二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3）上，所述金属基座（2）的上表面具有2个支撑部（21），所述2个二极管芯片（1）位于金属基座（2）正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层（5）与金属基座（2）的2个支撑部（21）电连接，位于金属基座（2）下端的第一引脚部（22）从环氧封装层（4）内延伸出；/n所述引线架（3）进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的第一竖金属板（7）和第二竖金属板（8），所述横金属板（6）的中央具有2个向下外凸的焊接凸起块（61），...

【技术特征摘要】
1.一种大电流二极管器件，其特征在于：包括2个二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3），一环氧封装层（4）包覆于2个二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3）上，所述金属基座（2）的上表面具有2个支撑部（21），所述2个二极管芯片（1）位于金属基座（2）正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层（5）与金属基座（2）的2个支撑部（21）电连接，位于金属基座（2）下端的第一引脚部（22）从环氧封装层（4）内延伸出；
所述引线架（3）进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的第一竖金属板（7）和第二竖金属板（8），所述横金属板（6）的中央具有2个向下外凸的焊接凸起块（61），所述引线架（3）的横金属板（6）位于二极管芯片（...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖兵，沈礼福，
申请(专利权)人：苏州达晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32