一种预电镀引线框架及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体器件技术领域，具体涉及一种预电镀引线框架及其制备方法。本发明专利技术的引线框架包括引线框架单元和非功能区，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层；所述引线框架依次通过贴膜、镀银、镀镍钯金、蚀刻、退膜制得。本发明专利技术采用先选择性电镀后蚀刻的方法，其中上表面为中低速、低氰、低温电镀，得到的镀银层致密性好、厚度均匀、表面平整，具有良好的打线性能；下表面的镀镍钯金层耐高温高湿，有优良耐储时间和良好的可焊性，可为封装产品提供更好的气密性和可靠性，同时符合绿色、环保、节能的生产要求。

【技术实现步骤摘要】
一种预电镀引线框架及其制备方法
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种预电镀引线框架及其制备方法。
技术介绍
引线框架是制造集成电路半导体元件的基本部件，为集成电路的芯片提供载体，借助于键合材料实现芯片与外部线路板电信号的连接，还可与封装外壳一同提供散热通道释放热量。方形扁平无引脚封装(QFN)是最为常见的一种引线框架封装结构。传统的QFN工艺通常包括芯片贴膜、芯片切割、芯片焊接、键合、塑封成型、激光印字、电镀、引线框贴膜、单元切割等多个步骤，工序复杂，生产周期长，成本较高。其中电镀工艺往往是在封装底部进行表面镀锡以提供较好的可焊性，但一方面镀锡工艺对环境危害较大，不符合绿色封装的生产要求；另一方面，目前多数芯片封装厂家尚未掌握电镀技术，通常需要与专门的电镀加工厂合作来完成这一工序，大大增加了生产成本和时间成本。针对镀锡工艺的环境污染问题，部分芯片封装厂家选择在塑封后进行化学镀镍钯金(ENEPIG)处理，镍钯金镀层的可焊性优良，坚固性好，且对环境友好，可作为镀锡层的替代方案实现无铅封装，但化学镀的镀液对杂质敏感，工艺操作复杂，难本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种预电镀引线框架，包括框架本体，所述框架本体上设置有阵列式排布的若干个引线框架单元和连接相邻引线框架单元的非功能区，其特征在于，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述镀镍钯金层自内向外依次包括镀镍层、镀钯层、镀金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层；所述引线框架依次通过贴膜、镀银、镀镍钯金、蚀刻、退膜制得。/n

【技术特征摘要】
1.一种预电镀引线框架，包括框架本体，所述框架本体上设置有阵列式排布的若干个引线框架单元和连接相邻引线框架单元的非功能区，其特征在于，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述镀镍钯金层自内向外依次包括镀镍层、镀钯层、镀金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层；所述引线框架依次通过贴膜、镀银、镀镍钯金、蚀刻、退膜制得。


2.根据权利要求1所述的预电镀引线框架，其特征在于，所述镀镍层的厚度为0.5～2.0μm，所述镀钯层的厚度为0.01～0.15μm，所述镀金层的厚度为0.003～0.015μm。


3.根据权利要求1所述的预电镀引线框架，其特征在于，所述镀银层的厚度为1.5～10μm。


4.一种如权利要求1所述的预电镀引线框架的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)贴膜：在基板的上下表面各贴附一层干膜；
(2)镀银：先通过曝光和显影去除基板上表面部分干膜，露出引线框架单元上表面的局部区域，再对引线框架单元上表面露出的局部区域进行电镀，形成镀银层；
(3)镀镍钯金：通过曝光和显影去除基板下表面干膜，露出引线框架单元下表面的所有外露区域，同时将撕下的干膜重新贴附于基板上表面，覆盖住镀银层，再对引线框架单元下表面的所有外露区域进行电镀，依次形成镀镍层、镀钯层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎超丰，冯小龙，林杰，章新立，林渊杰，林海见，罗壮，
申请(专利权)人：宁波康强电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33