双向瞬态抑制器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种双向瞬态抑制器件，其第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的负极、第二瞬态电压抑制芯片的正极电连接，连接片的电极区上间隔设置有若干个锥形通孔，此锥形通孔在面向瞬态电压抑制芯片的表面为广口，在背向瞬态电压抑制芯片的表面为窄口，电极区与瞬态电压抑制芯片之间具有一第一焊膏层；连接片的焊接端与第二引线框一端电连接。本实用新型专利技术双向瞬态抑制器件在实现了在2个方向上的浪涌电压钳位的基础上，既有效改善了焊膏的不均匀导致的翘曲，又有利于增加焊膏层的接触面积，从而降低了接触电阻。从而降低了接触电阻。从而降低了接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
双向瞬态抑制器件


[0001]本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种双向瞬态抑制器件。

技术介绍

[0002]双向瞬态抑制器件具有响应时间块、瞬态功率大、电容低、漏电流低、击穿电压偏差小、钳位电压较易控制、体积小、易于安装等优点，目前已经广泛应用于计算机系统、通讯设备、消费类电子、电源、家用电器等各个领域。
[0003]现有的双向瞬态抑制器件在加工过程中，涂抹的焊膏分布不均匀导致芯片翘曲，影响器件整体的工作性能。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种双向瞬态抑制器件，该双向瞬态抑制器件在实现了在2个方向上的浪涌电压钳位，进一步提高了受保护电子设备的数量的基础上，既有效改善了焊膏的不均匀导致的翘曲，又降低了接触电阻。
[0005]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种双向瞬态抑制器件，包括：第一瞬态电压抑制芯片、第二瞬态电压抑制芯片、第一引线框和一端具有支撑基区的第二引线框，所述第一瞬态电压抑制芯片、第二瞬态电压抑制芯片位于支撑基区上，且第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双向瞬态抑制器件，其特征在于：包括：第一瞬态电压抑制芯片（1）、第二瞬态电压抑制芯片（2）、第一引线框（3）和一端具有支撑基区（301）的第二引线框（4），所述第一瞬态电压抑制芯片（1）、第二瞬态电压抑制芯片（2）位于支撑基区（301）上，且第一瞬态电压抑制芯片（1）的正极、第二瞬态电压抑制芯片（2）的负极与第一引线框（3）的支撑基区（301）电连接，一位于支撑基区（301）上方连接片（5）的电极区（501）与第一瞬态电压抑制芯片（1）的负极、第二瞬态电压抑制芯片（2）的正极电连接；所述连接片（5）的电极区（501）上间隔设置有若干个锥形通孔（9），此锥形通孔（9）在面向第一瞬态电压抑制芯片（1）的表面为广口（91），在背向第一瞬态电压抑制芯片（1）的表面为窄口（92），所述电极区（5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明志，沈礼福，廖兵，
申请(专利权)人：苏州达晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：