半导体装置制造方法及图纸

技术编号:37426020 阅读:22 留言:0更新日期:2023-04-30 09:47
半导体装置(10)具有:第一开关元件(30A);驱动器(40),其在z方向上相对于第一开关元件(30A)被错开地配置,并驱动第一开关元件(30A);第一树脂层(50A),其密封第一开关元件(30A);以及第一控制用过孔导体(81),其在z方向上贯通第一树脂层(50A),并将第一开关元件(30A)与驱动器(40)电连接。(30A)与驱动器(40)电连接。(30A)与驱动器(40)电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往,已知有利用密封树脂对多个半导体元件进行密封而封装化的半导体装置。例如专利文献1的半导体装置是利用密封树脂对开关元件和驱动开关元件的驱动器进行密封的结构。开关元件是晶体管,其具有控制焊盘电极(栅极电极)。驱动器具有与控制焊盘电极电连接的焊盘电极。开关元件的控制焊盘电极和驱动器的焊盘电极通过键合线(bonding wire)连接。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2011

198891号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]然而,在通过键合线将开关元件的控制焊盘电极与驱动器的焊盘电极连接时,导线形成为弯曲凸状,因此,难以缩短导线的长度。因此,难以缩短开关元件的控制焊盘电极与驱动器的焊盘电极之间的导电路径,关于该导电路径的长度所引起的电感降低,还有改善的余地。
[0008]本公开的目的在于提供一种能够降低电感的半导体装置。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]解决上述课题的半导体装置,具有:开关元件;以及树脂层,其至少密封所述开关元件,所述半导体装置中将所述树脂层的厚度方向作为高度方向,所述半导体装置具有:驱动器,其在所述半导体装置的高度方向上相对于所述开关元件被错开地配置,并驱动所述开关元件;以及控制用过孔导体,其在所述半导体装置的高度方向上贯通所述树脂层,并将所述开关元件与所述驱动器电连接。
[0011]根据该结构,开关元件和驱动器在半导体装置的高度方向上被错开地配置,控制用过孔导体在半导体装置的高度方向上贯通树脂层,由此,开关元件和驱动器电连接。由此,与开关元件和驱动器被配置在同一平面上且两者通过导线连接的结构相比,开关元件与驱动器之间的导电路径容易变短。因此,能够降低由导电路径的长度引起的电感。
[0012]专利技术效果
[0013]根据上述半导体装置,能够降低电感。
附图说明
[0014]图1是表示一实施方式的半导体装置的立体构造的立体图。
[0015]图2是搭载了图1的半导体装置的开关元件的基板的俯视图。
[0016]图3是图1的半导体装置的背面图。
[0017]图4是搭载了图1的半导体装置的驱动器的树脂层的俯视图。
[0018]图5是图4的半导体装置的5

5线的剖视图。
[0019]图6是图4的半导体装置的6

6线的剖视图。
[0020]图7是图4的半导体装置的7

7线的剖视图。
[0021]图8是图4的半导体装置的8

8线的剖视图。
[0022]图9是表示图1的半导体装置的电路结构的一例的电路图。
[0023]图10是对一实施方式的半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0024]图11是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0025]图12是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0026]图13是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0027]图14是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0028]图15是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0029]图16是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0030]图17是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0031]图18是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0032]图19是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0033]图20是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0034]图21是对半导体装置的制造方法的制造工序的一例进行说明的说明图。
[0035]图22是表示比较例的半导体装置的截面构造的剖视图。
[0036]图23是关于变更例的半导体装置,搭载了开关元件的基板的俯视图。
[0037]图24是搭载了图23的半导体装置的驱动器的树脂层的俯视图。
[0038]图25是关于变更例的半导体装置,搭载了开关元件的基板的俯视图。
[0039]图26是搭载了图25的半导体装置的驱动器的树脂层的俯视图。
[0040]图27是表示变更例的半导体装置的截面构造的剖视图。
[0041]图28是表示变更例的半导体装置的截面构造的剖视图。
[0042]图29是关于变更例的半导体装置,搭载了开关元件的基板的俯视图。
[0043]图30是搭载了图29的半导体装置的驱动器的树脂层的俯视图。
具体实施方式
[0044]以下,参照附图对半导体装置的实施方式进行说明。以下所示的实施方式例示了用于将技术思想具体化的结构、方法,各构成部件的材质、形状、构造、配置、尺寸等并不局限于下述内容。以下的实施方式可以施加各种变更。
[0045](半导体装置的结构)
[0046]参照图1~图9,对半导体装置10的一实施方式进行说明。
[0047]如图1所示,半导体装置10形成为矩形平板状。半导体装置10具有彼此朝向相反侧的装置主面11和装置背面12、以及朝向与装置主面11和装置背面12双方交叉的方向的装置侧面13~16。在本实施方式中,装置侧面13~16朝向与装置主面11以及装置背面12双方正
交的方向。
[0048]装置主面11和装置背面12配置成相互背离。在以下说明中,将装置主面11和装置背面12的排列方向设为z方向。此外,z方向也可以说是半导体装置10的高度方向。将与z方向正交的方向中的相互正交的2方向分别设为x方向和y方向。在本实施方式中,从z方向观察,装置侧面13、14是沿着x方向的面,装置侧面15、16是沿着y方向的面。装置侧面13、14是在y方向上彼此朝向相反侧的面,装置侧面15、16是在x方向上彼此朝向相反侧的面。在本实施方式中,从z方向观察的半导体装置10的形状是x方向为短边方向,y方向为长边方向的矩形状。
[0049]半导体装置10具有:基板20、搭载于基板20的开关元件30、驱动开关元件30的驱动器40、以及层叠于基板20上且作为密封开关元件30以及驱动器40的树脂层的一例的密封树脂50。在本实施方式中,开关元件30包含第一开关元件30A以及第二开关元件30B。即,半导体装置10具有多个开关元件30。驱动器40包含分别驱动多个开关元件30的驱动电路。更详细而言,驱动器40包含分别驱动第一开关元件30A以及第二开关元件30B的驱动电路。
[0050]基板20由具有电绝缘性的材料构成,例如由环氧树脂构成。基板20具有与开关元件本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置,具有:开关元件;以及树脂层,其至少密封所述开关元件,所述半导体装置中将所述树脂层的厚度方向作为高度方向,其特征在于,所述半导体装置具有:驱动器,其在所述半导体装置的高度方向上相对于所述开关元件被错开地配置,并驱动所述开关元件;以及控制用过孔导体,其在所述半导体装置的高度方向上贯通所述树脂层,并将所述开关元件与所述驱动器电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述开关元件具有:元件主面,其形成有与所述控制用过孔导体电连接的控制焊盘电极,所述驱动器具有:驱动器主面和驱动器背面,其在所述半导体装置的高度方向上彼此朝向相反侧,所述驱动器主面朝向与所述元件主面相同的一侧,在所述驱动器背面形成有与所述控制用过孔导体电连接的驱动器焊盘电极。3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,在所述半导体装置的高度方向上,所述控制焊盘电极与所述驱动器焊盘电极对置,所述控制焊盘电极与所述驱动器焊盘电极通过所述控制用过孔导体连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述树脂层具有:第一树脂层,其对所述开关元件进行密封;以及第二树脂层,其在所述半导体装置的高度方向上层叠于所述第一树脂层,并对所述驱动器进行密封,所述控制用过孔导体设置为将所述第一树脂层与所述第二树脂层的界面和所述控制焊盘电极相连。5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置的高度方向上的所述控制用过孔导体的长度比所述半导体装置的高度方向上的所述驱动器与所述第二树脂层之间的距离短。6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述开关元件包含第一开关元件以及第二开关元件,所述控制用过孔导体包含:第一控制用过孔导体,其将所述第一开关元件与所述驱动器连接;以及第二控制用过孔导体,其将所述第二开关元件与所述驱动器连接。7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,所述第一开关元件具有:第一元件主面,其形成有与所述第一控制用过孔导体电连接的第一控制焊盘电极,所述第二开关元件具有:第二元件主面,其形成有与所述第二控制用过孔导体电连接的第二控制焊盘电极,所述第二元件主面朝向与所述第一元件主面相同的一侧,所述驱动器具有:驱动器主面和驱动器背面,其在所述半导体装置的高度方向上彼此朝向相反侧,
所述驱动器主面朝向与所述第一元件主面和所述第二元件主面相同的一侧,在所述驱动器背面形成有:与所述第一控制用过孔导体电连接的第一驱动器焊盘电极、以及与所述第二控制用过孔导体电连接的第二驱动器焊盘电极。8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,在所述半导体装置的高度方向上,所述第一控制焊盘电极与所述第一驱动器焊盘电极对置,所述第二控制焊盘电极与所述第二驱动器焊盘电极对置,所述第一控制焊盘电极与所述第一驱动器焊盘电极通过所述第一控制用过孔导体连接,所述第二控制焊盘电极与所述第二驱动器焊盘电极通过所述第二控制用过孔导体连接。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述树脂层具有:第一树脂层,其对所述第一开关元件和所述第二开关元件双方进行密封;以及第二树脂层,其在所述半导体装置的高度方向上层叠于所述第一树脂层,并对所述驱动器进行密封,所述第一控制用过孔导体设置为将所述第一树脂层与所述第二树脂层的界面和所述第一控制焊盘电极相连,所述第二控制用过孔导体设置为将所述第一树脂层与所述第二树脂层的界面和所述第二控制焊盘电极相连。10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置的高度方向上的所述第一控制用过孔导体的长度以及所述第二控制用过孔导体的长度分别比所述半导体装置的高度方向上的所述驱动器与所述第二树脂层之间的距离短。11.根据权利要求6~10中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第一开关元件具有:...

【专利技术属性】
技术研发人员:大森谦伍
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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