半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体装置1，包括：壳体，其包括布置在壳体的相对表面的第一壳体电极5和第二壳体电极4，其中，第一壳体电极5包括电极板；以及多个半导体单元30，布置在壳体内第一壳体电极4和第二壳体电极5之间并且通过压力耦合到第一壳体电极和第二壳体电极中的至少一个；热耦合器17，布置在壳体内多个半导体单元30与第一壳体电极5的电极板之间；柱体的第一阵列10，在多个半导体单元30与热耦合器17之间延伸，并且分别电耦合到多个半导体单元30；以及柱体的第二阵列18，在热耦合器17与第一壳体电极5的电极板之间延伸，其中，柱体的第一阵列10经由柱体的第二阵列18电耦合到电极板；其中，热耦合器17被配置为在至少一些柱体的第一阵列10之间延伸，以便将至少一些柱体的第一阵列10彼此热耦合。第一阵列10彼此热耦合。第一阵列10彼此热耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置。更具体地但非排他地，本专利技术涉及一种压力接触功率半导体装置，其减轻装置内所有芯片上的温度不平衡，同时保持芯片上接触压力的均匀分布。

技术介绍

[0002]功率半导体装置可以容纳一个或更多个功率半导体芯片(或管芯)。功率半导体芯片常用于切换大电流和大电压，并且可以包括功率晶体管、功率二极管、以及晶闸管等中的一个或更多个。功率晶体管包括但不限于功率金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、功率双极结型晶体管(BJT)、以及绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。晶闸管包括但不限于集成门极换流晶闸管(IGCT)，以及门极关断晶闸管(GTO)等。功率半导体装置也可以被称为功率模块或功率电子模块。
[0003]图1示意性地示出了具有压接式封装的已知的功率半导体装置100的剖视图。压接式功率半导体装置是传统隔离底座功率半导体装置的替代品，其中功率半导体芯片通常被锡焊在分别承载芯片的隔离基板上，并且还被引线键合到基板。压接式装置通常依靠通过外部夹紧系统施加的力与芯片接触，而不是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：壳体，包括第一壳体电极和第二壳体电极，布置在所述壳体的相对表面，其中，所述第一壳体电极包括电极板；多个半导体单元，布置在所述壳体内所述第一壳体电极和所述第二壳体电极之间，并且通过压力耦合到所述第一壳体电极和所述第二壳体电极中的至少一个；热耦合器，布置在所述壳体内所述多个半导体单元与所述第一壳体电极的所述电极板之间；柱体的第一阵列，在所述多个半导体单元与所述热耦合器之间延伸，并且分别电耦合到所述多个半导体单元；以及柱体的第二阵列，在所述热耦合器与所述第一壳体电极的所述电极板之间延伸，其中，所述柱体的第一阵列经由所述柱体的第二阵列电耦合到所述电极板；其中，所述热耦合器配置为在至少一些所述柱体的第一阵列之间延伸，以便将至少一些所述柱体的第一阵列彼此热耦合。2.根据前述权利要求所述的半导体装置，其中，所述柱体的第一阵列中的至少一个在所述多个半导体单元和所述电极板之间沿第一方向延伸。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述柱体的第一阵列和所述柱体的第二阵列沿所述第一方向的总长度为L1，并且所述多个半导体单元中的至少一个沿所述第一方向的厚度为L2，并且其中，L1等于或大于L2的大约2.5倍。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述热耦合器沿垂直于所述第一方向的第一平面延伸。5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其中，所述热耦合器沿所述第一方向的厚度为至少约2毫米。6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述热耦合器包括导热材料。7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，面对所述多个半导体单元所述热耦合器包括第一表面，以及与所述第一表面相对且面对所述电极板的第二表面，并且其中，所述半导体装置还包括由所述热耦合器的所述第一表面支撑的电路板。8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括将所述多个半导体单元电连接到所述电路板的电连接器。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述电连接器包括弹簧加载销。10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述多个第一柱体与所述多个第二柱体对准。11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述热耦合器与所述柱体的第一阵列一体地形成。12.根据前述权利要求中...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：