半导体装置制造方法及图纸

得到能够提高控制性而不使可靠性下降的半导体装置。在绝缘基板(3)之上多个功率半导体元件(1a～1f)配置为一列。多个控制半导体元件(2a～2f)以与多个功率半导体元件(1a～1f)分别相对的方式在绝缘基板(3)之上配置为一列，对多个功率半导体元件(1a～1f)分别进行驱动。配置为一列的多个控制半导体元件(2a～2f)中的两端的控制半导体元件(2a、2f)与两端以外的控制半导体元件(2b～2e)相比配置于更靠近所对应的功率半导体元件处。所对应的功率半导体元件处。所对应的功率半导体元件处。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]提出了在功率半导体元件的安装区域与控制半导体元件的安装区域之间的基座基板形成有槽的半导体装置(例如，参照专利文献1)。由此，能够抑制从功率半导体元件向控制半导体元件的热干涉。因此，能够使各控制半导体元件的结温平均化而提高半导体装置的控制性。
[0003]专利文献1：日本特开2013
‑
16766号公报
[0004]但是，存在由于在基座基板形成槽而在基座基板产生裂纹，半导体装置的可靠性下降的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于，得到能够提高控制性而不使可靠性下降的半导体装置。
[0006]本专利技术涉及的半导体装置的特征在于，具有：绝缘基板；多个功率半导体元件，它们在所述绝缘基板之上配置为一列；以及多个控制半导体元件，它们以与所述多个功率半导体元件分别相对的方式在所述绝缘基板之上配置为一列，对所述多个功率半导体元件分别进行驱动，配置为一列的所述多个控制半导体元件中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：绝缘基板；多个功率半导体元件，它们在所述绝缘基板之上配置为一列；以及多个控制半导体元件，它们以与所述多个功率半导体元件分别相对的方式在所述绝缘基板之上配置为一列，对所述多个功率半导体元件分别进行驱动，配置为一列的所述多个控制半导体元件中的两端的所述控制半导体元件与两端以外的所述控制半导体元件相比配置于更靠近所对应的所述功率半导体元件处。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，配置为一列的所述多个控制半导体元件中的在中央的所述控制半导体元件与两端的所述控制半导体元件之间配置的所述控制半导体元件，与中央的所述控制半导体元件相比配置于更靠近所对应的所述功率半导体元件处。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还具有：多个第1信号导线，它们将所述多个功率半导体元件的信号焊盘分别与所述控制半导体元件连接，所述多个第1信号导线的长度彼此相同。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还具有：多个第1信号配线，它们将所述多个功率半导体元...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：