一种直插式大功率整流桥制造技术

本实用新型专利技术涉及整流桥领域，特别是涉及一种直插式大功率整流桥，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干上层芯片、若干下层芯片；所述第一中框架延的一端延伸设有第一引脚，第二中框架的一端延伸设有第二引脚，所述第三中框架的一端延伸设有第三引脚，所述第四中框架的一端延伸设有第四引脚；所述若干上层芯片、若干下层芯片分别连接于所述第一中框架；所述若干上层芯片、若干下层芯片分别连接于所述第三中框架、第四中框架；若干所述上层芯片连接有若干连接上引线，若干所述下层芯片连接有若干连接下引线。本实用新型专利技术提供一种低功耗、高效能的直插式大功率整流桥。高效能的直插式大功率整流桥。高效能的直插式大功率整流桥。

【技术实现步骤摘要】
一种直插式大功率整流桥


[0001]本技术涉及整流桥领域，特别是涉及一种直插式大功率整流桥。

技术介绍

[0002]电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。
[0003]整流桥是将数个整流管封在一个壳内构成一个完整的整流电路，当功率进一步增加或由于其他原因要求多相整流时三相整流电路就被提了出来。目前整流桥的功耗高，功率较小，在电路中使用效果欠佳。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种低功耗、高效能的直插式大功率整流桥。
[0005]本技术采用如下技术方案：
[0006]一种直插式大功率整流桥，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干上层芯片、若干下层芯片；所述第一中框架延的一端延伸设有第一引脚，第二中框架的一端延伸设有第二引脚，所述第三中框架的一端延伸设有第三引脚，所述第四中框架的一端延伸设有第四引脚；所述若干上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直插式大功率整流桥，其特征在于，包括壳体、分别设置于所述壳体内部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干上层芯片、若干下层芯片；所述第一中框架延的一端延伸设有第一引脚，第二中框架的一端延伸设有第二引脚，所述第三中框架的一端延伸设有第三引脚，所述第四中框架的一端延伸设有第四引脚；所述若干上层芯片、若干下层芯片分别连接于所述第一中框架；所述若干上层芯片、若干下层芯片分别连接于所述第三中框架、第四中框架；若干所述上层芯片连接有若干连接上引线，若干所述下层芯片连接有若干连接下引线。2.根据权利要求1所述的直插式大功率整流桥，其特征在于，所述壳体为无卤环氧树脂壳体。3.根据权利要求1所述的直插式大功率整流桥，其特征在于，所述第一中框架为正极中框架。4.根据权利要求1所述的直插式大功率整流桥，其特征在于，所述第二中框架为负极中框架。5.根据权利要求1所述的直插式大功率整流桥，其特征在于，所述第三中框架、第四中框架均为交流中...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹新艺，
申请(专利权)人：广东慧芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：