一种功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件制造技术

本发明专利技术提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明专利技术通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。并提升了可靠性。并提升了可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件


[0001]本专利技术涉及微电子封装
，具体涉及一种功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件。

技术介绍

[0002]目前，功率半导体器件向更高压、更大容量、更高效率以及更高结温的新型电力电子器件发展，高压大容量功率半导体器件的实现使得高压电力电子装置所需的串并联器件数量大大减少，因此可以简化装置的设计，提高系统的可靠性，同时，可以实现原有器件无法实现的新型拓扑结构，使得整个系统将变得更加紧凑。
[0003]目前，更高电压等级的功率半导体器件的研发和大规模使用主要受到两方面的限制，其一是高压功率半导体器件设计能力和工艺水平还不成熟，还需要持续多年的发展进步；其二是高压功率半导体器件产品价格比较昂贵，成本过高不利于量产。利用器件串联结构将多个低压器件串联可以大大提高实现器件整体的耐受电压，但串联器件中的电压不均衡会导致单个器件的电压过高而损坏，引起连锁反应，造成其他器件击穿，影响整体的可靠性和稳定性。保证器件串联时的电压均衡，目前较为简洁通用的均压方案为在器件或者功率模块外部额外并联本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件串联均压结构，其特征在于，包括：第一极性金属板、多级串联功率芯片结构及多级串联均压回路结构，其中，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件串联均压结构，其特征在于，还包括键合线及多个基板，所述基板的第一侧面及第二侧面均为金属面，所述多级串联功率芯片结构为：第一级的功率芯片的第一极性侧面固定至所述第一极性金属板的第一侧面上，其余级的功率芯片的第一极性侧面固定至一个基板的第一侧面上；每个基板的第二侧面固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；当前级的功率芯片的第二极性侧面通过所述键合线与下一级的功率芯片所在基板的第一侧面连接。3.根据权利要求2所述的功率半导体器件串联均压结构，其特征在于，所述多级串联均压回路结构为：第一级的均压回路的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上，其余级的均压回路的第一端固定至一个基板的第一侧面上；当前级的均压回路的第二端固定至下一级的均压回路的第一端所在基板的第一侧面上；最后一级的功率芯片的第二极性侧面通过所述键合线与最后一级的均压回路的第二端固定至同一基板的第一侧面上。4.根据权利要求3所述的功率半导体器件串联均压结构，其特征在于，所述均压回路包括：静态均压电阻、动态均压电阻及动态均压电容；所述动态均压电阻与所述动态均压电容串联连接之后，与所述静态均压电阻并联连接。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏晓光，杜玉杰，王亮，林仲康，代安琪，王磊，唐新灵，
申请(专利权)人：北京智慧能源研究院，
类型：发明
国别省市：