一种单面双芯组装的SMA二极管器件制造技术

本实用新型专利技术涉及二极管器件领域，特别是涉及一种单面双芯组装的SMA二极管器件，包括壳体、分别设于所述壳体内部的第一连接框架、第二连接框架、若干芯片；所述第一连接框架的一端延伸设有第一引脚；所述第二连接框架的一端设有第二引脚；所述若干芯片设置于所述第二连接框架的上方。本实用新型专利技术提供一种紧凑、高效能的单面双芯组装的SMA二极管器件。能的单面双芯组装的SMA二极管器件。能的单面双芯组装的SMA二极管器件。

【技术实现步骤摘要】
一种单面双芯组装的SMA二极管器件


[0001]本技术涉及二极管器件领域，特别是涉及一种单面双芯组装的SMA二极管器件。

技术介绍

[0002]贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p
‑
n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p
‑
n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
[0003]现有的二极管在使用时仍然存在一些不足之处：使用操作复杂，占用空间大，效能低，抗浪涌能力较差，可靠性越低。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种紧凑、高效能的单面双芯组装的SMA二极管器件。
[0005]本技术采用如下技术方案：
[0006]一种单面双芯组装的SMA二极管器件，包括壳体、分别设于所述壳体内部的第一连接框架、第二连接框架、若干芯片；所述第一连接框架的一端延伸设有第一引脚；所述第二连接框架的一端设有第二引脚；所述若干芯片设置于所述第二连接框架的上方。
[0007]对上述技术方案的进一步改进为，所述壳体为无卤环氧树脂壳。
[0008]对上述技术方案的进一步改进为，所述第一连接框架为正极连接框架。
[0009]对上述技术方案的进一步改进为，所述第二连接框架为负极连接框架。
[0010]对上述技术方案的进一步改进为，所述第一引脚为正极引脚。
[0011]对上述技术方案的进一步改进为，所述第二引脚为负极引脚。
[0012]对上述技术方案的进一步改进为，所述第一引脚、第二引脚均为G型引脚。
[0013]对上述技术方案的进一步改进为，所述芯片的数量为两个，两个所述芯片分别设于所述第二连接框架的上方两侧。
[0014]对上述技术方案的进一步改进为，所述第一连接框架背离所述第一引脚的一端设有正极连接引线。
[0015]对上述技术方案的进一步改进为，所述正极连接引线背离第一连接框架的一端连接于若干芯片的上方。
[0016]本技术的有益效果为：
[0017]本技术为两层组装结构的SMA外形二极管器件，组装简单、紧凑，可组装有2颗芯片，正向压降低，正向电流高，具备低功耗高效能、高抗浪涌能力，比现有的同体积产品提高20％的能效，可靠性好。
附图说明
[0018]图1为本技术的单面双芯组装的SMA二极管器件的结构示意图；
[0019]图2为图1的单面双芯组装的SMA二极管器件的侧视图。
具体实施方式
[0020]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0022]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0023]如图1及图2所示，一种单面双芯组装的SMA二极管器件，包括壳体10、分别设于所述壳体10内部的第一连接框架20、第二连接框架30、若干芯片40；所述第一连接框架20的一端延伸设有第一引脚21；所述第二连接框架30的一端设有第二引脚31；所述若干芯片40设置于所述第二连接框架30的上方。
[0024]进一步地，所述壳体10为无卤环氧树脂壳。
[0025]进一步地，所述第一连接框架20为正极连接框架。
[0026]进一步地，所述第二连接框架30为负极连接框架。
[0027]进一步地，所述第一引脚21为正极引脚。
[0028]进一步地，所述第二引脚31为负极引脚。
[0029]进一步地，所述第一引脚21、第二引脚31均为G型引脚。
[0030]进一步地，所述芯片40的数量为两个，两个所述芯片40分别设于所述第二连接框架30的上方两侧。
[0031]进一步地，所述第一连接框架20背离所述第一引脚21的一端设有正极连接引线50。
[0032]进一步地，所述正极连接引线50背离第一连接框架20的一端连接于若干芯片40的上方。
[0033]本技术为两层组装结构的SMA外形二极管器件，组装简单、紧凑，可组装有2颗芯片40，正向压降低，正向电流高，具备低功耗高效能、高抗浪涌能力，比现有的同体积产品提高20％的能效，可靠性好。
[0034]以上实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并
不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单面双芯组装的SMA二极管器件，其特征在于，包括壳体、分别设于所述壳体内部的第一连接框架、第二连接框架、若干芯片；所述第一连接框架的一端延伸设有第一引脚；所述第二连接框架的一端设有第二引脚；所述若干芯片设置于所述第二连接框架的上方。2.根据权利要求1所述的单面双芯组装的SMA二极管器件，其特征在于，所述壳体为无卤环氧树脂壳。3.根据权利要求1所述的单面双芯组装的SMA二极管器件，其特征在于，所述第一连接框架为正极连接框架。4.根据权利要求1所述的单面双芯组装的SMA二极管器件，其特征在于，所述第二连接框架为负极连接框架。5.根据权利要求1所述的单面双芯组装的SMA二极管器件，其特征在于，所述第一引脚...

【专利技术属性】
技术研发人员：王太阳，
申请(专利权)人：广东慧芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：