一种半环形阵列式PCB整流硅堆制造技术

本实用新型专利技术提供一种半环形阵列式PCB整流硅堆，包括PCB半环形支架、PCB横向支架和高压二极管，所述的PCB半环形支架包括多个，多个PCB半环形支架依次布置，通过PCB横向支架进行固定，相邻的两个PCB半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管；PCB板采用半环形支架，将串联的高压二极管布置在两个PCB半环形支架间，可以串联的高压二极管更多，体积更小，将串联的高压二极管阵列式布置在两个PCB半环形支架间，高压二极管的四周均可散热，从而增加了高压高压二极管的散热空间，散热效果更好，相同体积的情况下，串联的高压二极管更多，使得元件的耐压效果更好。使得元件的耐压效果更好。使得元件的耐压效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种半环形阵列式PCB整流硅堆


[0001]本技术涉及整流硅堆
，尤其涉及一种半环形阵列式PCB整流硅堆。

技术介绍

[0002]硅堆是把几个高压二极管串联后封装在树脂中，是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。高压设备通常需要串联的高压二极管数量众多。常规的硅堆的结构是好多个高压二极管串联封闭浇筑在树脂胶内，造成其容量受限，散热效果不好。当高压设备中需要串联的高压二极管数量多时，普通硅堆使用起来较为麻烦。
[0003]公开号为CN209298111U的中国专利公开了一种三维立体结构形式整流硅堆，采用立体空间的自然散热结构，将串联的高压二极管安装在PCB竖板上，虽改善了浇筑结构的硅堆结构大、散热效果差的不足，但其设计的结构为方形结构，且高压二极管安装在PCB竖板上，高压二极管之间的散热距离受限，整体体积和散热效果仍不理想。

技术实现思路

[0004]为了解决
技术介绍
中的技术问题，本技术提供了一种半环形阵列式PCB整流硅堆，不在PCB板上安装高压二极管，而是将二级管安装在PCB板之间，散热效果更好，半圆形的结构使得体积更小，同样体积情况下二级管数量更多，耐压效果也更好。
[0005]为了达到上述目的，本技术采用以下技术方案实现：
[0006]一种半环形阵列式PCB整流硅堆，包括PCB半环形支架、PCB横向支架和高压二极管，所述的PCB半环形支架包括多个，多个PCB半环形支架依次布置，通过PCB横向支架进行固定，相邻的两个PCB半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管。
[0007]进一步地，还包括底座，底座为L型结构，固定在最外侧的两个PCB半环形支架的外侧下端。
[0008]进一步地，所述的PCB半环形支架顶部和底部两端位置各设有卡槽，所述的PCB横向支架分别安装在PCB半环形支架的顶部和底部两端的卡槽上，将多个PCB半环形支架固定住。
[0009]进一步地，所述的多个高压二极管为电气串联连接。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0011]1)PCB板采用半环形结构，并将串联的高压二极管布置在两个PCB半环形支架间，可以串联的高压二极管更多，体积更小；
[0012]2)将串联的高压二极管阵列式布置在两个PCB半环形支架间，高压二极管的四周均可散热，从而增加了高压二极管的散热空间，散热效果更好；
[0013]3)相同体积的情况下，串联的高压二极管更多，使得元件的耐压效果更好。
附图说明
[0014]图1是本技术的结构示意图；
[0015]图2是本技术的分解结构第一方向示意图；
[0016]图3是本技术的分解结构第二方向示意图；
[0017]图4是本技术的底座结构示意图；
[0018]图5是本技术的高压二极管电气连接示意图。
[0019]图中：1.PCB半环形支架 2.PCB横向支架 3.底座 4.固定螺栓 5.高压二极管 6.均压电阻。
具体实施方式
[0020]下面结合附图对本技术的具体实施方式作详细说明：
[0021]如图1
‑
2所示，一种半环形阵列式PCB整流硅堆，包括PCB半环形支架1、PCB横向支架2和多个高压二极管5，所述的PCB半环形支架1包括多个，多个PCB半环形支架1依次布置，通过PCB横向支架2进行固定，相邻的两个PCB半环形支架1间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管5。
[0022]如图1
‑
4所示，一种半环形阵列式PCB整流硅堆，还包括底座3，底座3为L型结构，所述底座3竖起的部分打有与固定螺栓4配套的螺栓孔，通过固定螺栓4固定在最外侧的两个PCB半环形支架1的外侧下端。底座3用于本技术的硅堆的安装固定。
[0023]如图2
‑
3所示，所述的PCB半环形支架1的顶部和底部两端位置各设有卡槽，用于安装所述的PCB横向支架2。所述的PCB半环形支架1为电路的PCB板，高压二极管5的两端焊接在两个相邻的PCB半环形支架1之间，在高压二极管5焊接位置有对应的焊点，PCB半环形支架1的中部为空，能够更好的散热。最外侧的PCB半环形支架1底部打有与固定螺栓4配套的螺栓孔。
[0024]所述的PCB横向支架2有三根，长度相同，为长条形，分别安装在PCB半环形支架1的顶部和底部两端位置，每个PCB横向支架2与PCB半环形支架间1的连接处有对应方形的卡槽，PCB横向支架2与PCB半环形支架间1的卡槽之间相互插入，将多个PCB半环形支架1固定成型。
[0025]如图2
‑
3所示，相邻的两个PCB半环形支架1间还安装有均压电阻6。均压电阻6一端焊接在一侧PCB半环形支架1上，另一端焊接在另一侧的PCB半环形支架1上。具体电气连接结构如图5所示，多个高压二极管5为电气串联连接，两个高压二极管5之间通过PCB半环形支架1的PCB内部走线连接，两个PCB半环形支架1间的多个高压二极管5串联后再并联均压电阻6。图5中D1
‑
D18为高压二极管5，RC1
‑
RC3为均压电阻6。
[0026]以上实施例在以本技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本技术的保护范围不限于上述的实施例。下述实施例中所用方法如无特别说明均为常规方法。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半环形阵列式PCB整流硅堆，其特征在于，包括PCB半环形支架、PCB横向支架和高压二极管，所述的PCB半环形支架包括多个，多个PCB半环形支架依次布置，通过PCB横向支架进行固定，相邻的两个PCB半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管。2.根据权利要求1所述的一种半环形阵列式PCB整流硅堆，其特征在于，还包括底座，底座为L型结构，固定在最外侧的两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈岗，夏冰成，
申请(专利权)人：鞍山雷盛电子有限公司，
类型：新型
国别省市：