一种半环形阵列式封装整流硅堆制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半环形阵列式封装整流硅堆，包括半环形支架、横向支架和多个高压二极管，所述的半环形支架包含多个，多个半环形支架依次布置，通过横向支架进行固定，相邻的两个半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管，组装后进行整体浇注封装，封装后为半圆柱体且中心为空的结构体。本实用新型专利技术可串联的高压二极管数量更多、散热效果更好，使得体积更小，封装后易于安装且防护性更强。强。强。

【技术实现步骤摘要】
一种半环形阵列式封装整流硅堆


[0001]本技术涉及整流硅堆
，尤其涉及一种半环形阵列式封装整流硅堆。

技术介绍

[0002]硅堆是把多个二极管串联后封装在树脂中，是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。高压设备通常需要串联的二极管数量众多。常规的硅堆的结构是好多个二极管串联封闭浇注在环氧树脂胶内，造成其容量受限，散热效果不好。当高压设备中需要串联的二极管数量多时，普通硅堆使用起来较为麻烦。
[0003]现有技术的封装硅堆，例如公开号为CN 201877425 U的中国专利公开的一种高压硅堆，是将多个二极管串联后直接封装在环氧树脂内，内部没有空间散热结构的设计，散热效果不好，且其可串联的二极管数量受整体长度限制。

技术实现思路

[0004]为了解决
技术介绍
中的技术问题，本技术提供了一种半环形阵列式封装整流硅堆，可串联的高压二极管数量更多、散热效果更好，使得体积更小，封装后易于安装且防护性更强。
[0005]为了达到上述目的，本技术采用以下技术方案实现：
[0006]一种半环形阵列式封装整流硅堆，包括半环形支架、横向支架和高压二极管，所述的半环形支架包括多个，多个半环形支架依次布置，通过横向支架进行固定，相邻的两个半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管，组装后进行整体浇注封装，封装后为半圆柱体且中心为空的结构体。
[0007]进一步地，所述的半环形支架、横向支架均为环氧树脂材料。
[0008]进一步地，最外端的两个半环形支架底部安置预埋螺母，预埋螺母与最外端的高压二极管的连接引线相连，进行整体浇注封装时预埋螺母与半环形支架一同浇注在结构体内，预埋螺母的内螺纹露出。
[0009]进一步地，所述的半环形支架顶部和底部两端位置各设有卡槽，所述的横向支架分别安装在半环形支架的顶部和底部两端的卡槽上，将多个半环形支架固定住。
[0010]进一步地，所述的多个高压二极管为电气串联连接。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]1)采用半环形支架，并将串联的高压二极管布置在两个半环形支架间，可以串联的二极管更多，体积更小，耐压效果更好；
[0013]2)将串联的高压二极管阵列式布置在两个半环形支架间，高压二极管的四周均可散热，从而增加了二极管的散热空间，散热效果更好；
[0014]3)封装后的结构体防护性更强，并且易于安装；
[0015]4)封装后的结构体中部为空，散热效果更好。
附图说明
[0016]图1是本技术的封装前的结构分解示意图；
[0017]图2是本技术的封装前的结构示意图；
[0018]图3是本技术所述的封装后结构示意图；
[0019]图4是本技术所述的最外端的半环形支架结构示意图；
[0020]图5是本技术所述的高压二极管电气连接示意图。
[0021]图中：1.半环形支架 2.横向支架 3.预埋螺母 4.高压二极管 5.均压电阻 6.连接引线。
具体实施方式
[0022]下面结合附图对本技术的具体实施方式作详细说明：
[0023]如图1
‑
5所示，一种半环形阵列式封装整流硅堆，包括半环形支架1、横向支架2和多个高压二极管4，所述的半环形支架1包括多个，多个半环形支架1依次布置，通过横向支架2进行固定，相邻的两个半环形支架1间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管4；将半环形支架1、横向支架2和多个高压二极管4组装后进行整体环氧树脂浇注封装，如图3所示，封装后为半圆柱体且中心为空的结构体。
[0024]所述的多个高压二极管4为电气串联连接。
[0025]所述的半环形支架1、横向支架2均为环氧树脂材料，两个高压二极管4之间通过连接引线6相连。
[0026]如图1
‑
4所示，在整体浇注封装前，在两端的半环形支架1底部安置预埋螺母3，预埋螺母3与最外端的高压二极管4的连接引线6相连。将预埋螺母3浇注在封装的机构体内，预埋螺母3的内螺纹露出，使得整体浇注封装后的结构体两侧的半环形底部留有螺栓孔，与螺栓配套使用，用于安装固定和电气连接。
[0027]所述的半环形支架1的顶部和底部两端位置各设有卡槽，用于安装所述的横向支架2。
[0028]高压二极管4的安装方式为：所述的半环形支架1在高压二极管4固定点处设有小孔，高压二极管4上的引线插入小孔中，相邻两个高压二极管4之间用连接引线6焊接固定。
[0029]预埋螺母3与最外侧的半环形支架1底部的安装方式可以为直接粘接的方式进行固定。
[0030]所述的横向支架2有三根，长度相同，为长条形，分别安装在半环形支架1的顶部和底部两端位置，每个横向支架2与半环形支架间1的连接处有对应方形的卡槽，横向支架2与半环形支架间1的卡槽之间相互插入，将多个半环形支架1固定成型。
[0031]相邻的两个半环形支架1间还安装有均压电阻5。均压电阻5一端连接在一侧的半环形支架1上，另一端连接在另一侧的半环形支架1上。具体电气连接如图5所示，多个高压二极管4为电气串联连接，两个半环形支架1间的多个高压二极管4串联后再并联均压电阻5。图5中D1
‑
D18为高压二极管4，RC1
‑
RC3为均压电阻5。
[0032]以上实施例在以本技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本技术的保护范围不限于上述的实施例。下述实施例中所用方法如无特别说明均为常规方法。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半环形阵列式封装整流硅堆，其特征在于，包括半环形支架、横向支架和高压二极管，所述的半环形支架包括多个，多个半环形支架依次布置，通过横向支架进行固定，相邻的两个半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管，组装后进行整体浇注封装，封装后为半圆柱体且中心为空的结构体。2.根据权利要求1所述的一种半环形阵列式封装整流硅堆，其特征在于，所述的半环形支架、横向支架均为环氧树脂材料。3.根据权利要求1所述的一种半环形阵列式封装整流硅堆，其特征在于，最外端的两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈岗，夏冰成，
申请(专利权)人：鞍山雷盛电子有限公司，
类型：新型
国别省市：