一种半环形阵列式封装整流硅堆制造技术

技术编号:36565537 阅读:40 留言:0更新日期:2023-02-04 17:21
本实用新型专利技术提供了一种半环形阵列式封装整流硅堆,包括半环形支架、横向支架和多个高压二极管,所述的半环形支架包含多个,多个半环形支架依次布置,通过横向支架进行固定,相邻的两个半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管,组装后进行整体浇注封装,封装后为半圆柱体且中心为空的结构体。本实用新型专利技术可串联的高压二极管数量更多、散热效果更好,使得体积更小,封装后易于安装且防护性更强。强。强。

【技术实现步骤摘要】
一种半环形阵列式封装整流硅堆


[0001]本技术涉及整流硅堆
,尤其涉及一种半环形阵列式封装整流硅堆。

技术介绍

[0002]硅堆是把多个二极管串联后封装在树脂中,是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。高压设备通常需要串联的二极管数量众多。常规的硅堆的结构是好多个二极管串联封闭浇注在环氧树脂胶内,造成其容量受限,散热效果不好。当高压设备中需要串联的二极管数量多时,普通硅堆使用起来较为麻烦。
[0003]现有技术的封装硅堆,例如公开号为CN 201877425 U的中国专利公开的一种高压硅堆,是将多个二极管串联后直接封装在环氧树脂内,内部没有空间散热结构的设计,散热效果不好,且其可串联的二极管数量受整体长度限制。

技术实现思路

[0004]为了解决
技术介绍
中的技术问题,本技术提供了一种半环形阵列式封装整流硅堆,可串联的高压二极管数量更多、散热效果更好,使得体积更小,封装后易于安装且防护性更强。
[0005]为了达到上述目的,本技术采用以下技术方案实现:
[0006]一种半环形阵列式封装整流硅堆,包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半环形阵列式封装整流硅堆,其特征在于,包括半环形支架、横向支架和高压二极管,所述的半环形支架包括多个,多个半环形支架依次布置,通过横向支架进行固定,相邻的两个半环形支架间半环形阵列式均匀安装多个高压二极管,组装后进行整体浇注封装,封装后为半圆柱体且中心为空的结构体。2.根据权利要求1所述的一种半环形阵列式封装整流硅堆,其特征在于,所述的半环形支架、横向支架均为环氧树脂材料。3.根据权利要求1所述的一种半环形阵列式封装整流硅堆,其特征在于,最外端的两个...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈岗夏冰成
申请(专利权)人:鞍山雷盛电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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