芯片组件及其制备方法技术

本申请提供了芯片组件及其制备方法。芯片组件包括背板，所述背板上设有间隔设置的多个第一电极；多个芯片，所述芯片包括本体及设于所述本体一侧的第二电极，所述第二电极相较于所述本体靠近所述背板，所述第二电极与所述第一电极间隔设置；绝缘层，设于所述背板与所述本体之间；多个碳纳米管，贯穿所述绝缘层，且至少部分所述碳纳米管的相对两端分别电连接所述第一电极与所述第二电极。通过在所述背板与所述芯片之间增所述绝缘层及嵌设于所述绝缘层内的多个所述碳纳米管，利用碳纳米管优异的导电导热性能，增大了所述芯片与所述背板之间的电信号传输，以提升所述芯片工作性能，同时提高了所述芯片与所述背板的散热效率，以延长所述芯片使用寿命。所述芯片使用寿命。所述芯片使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
芯片组件及其制备方法


[0001]本专利技术属于芯片
，具体涉及芯片组件及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于科技的不断发展，芯片已成为各个结构中不可缺少零件。芯片通常设于背板上，并且芯片在工作时，背板与芯片通常会产生大量热量。但目前芯片与背板的散热效果不好，因此会影响芯片的工作性能，还会降低芯片的使用寿命。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供芯片组件及其制备方法，旨在解决芯片散热性能较差的问题。
[0004]本申请第一方面提供了一种芯片组件，包括：
[0005]背板，所述背板上设有间隔设置的多个第一电极；
[0006]多个芯片，所述芯片包括本体及设于所述本体一侧的第二电极，所述第二电极相较于所述本体靠近所述背板，所述第二电极与所述第一电极间隔设置；
[0007]绝缘层，设于所述背板与所述本体之间；
[0008]多个碳纳米管，贯穿所述绝缘层，且至少部分所述碳纳米管的相对两端分别电连接所述第一电极与所述第二电极。
[0009]本申请第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片组件，其特征在于，包括：背板，所述背板上设有间隔设置的多个第一电极；多个芯片，所述芯片包括本体及设于所述本体一侧的第二电极，所述第二电极相较于所述本体靠近所述背板，所述第二电极与所述第一电极间隔设置；绝缘层，设于所述背板与所述本体之间；多个碳纳米管，贯穿所述绝缘层，且至少部分所述碳纳米管的相对两端分别电连接所述第一电极与所述第二电极。2.如权利要求1所述的芯片组件，其特征在于，所述多个碳纳米管包括间隔设置的第一碳纳米管、第二碳纳米管及第三碳纳米管，所述第一碳纳米管的相对两端分别电连接所述第一电极与所述第二电极；所述第二碳纳米管的相对两端分别连接所述背板与所述本体；所述第三碳纳米管的一端连接所述背板。3.如权利要求2所述的芯片组件，其特征在于，所述第一电极设于所述绝缘层内，在平行于所述背板延伸的方向上，所述第一碳纳米管的宽度大于所述第二碳纳米管与所述第三碳纳米管的宽度。4.如权利要求2所述的芯片组件，其特征在于，所述第二电极设于所述绝缘层内，在平行于所述背板延伸的方向上，所述第一碳纳米管的宽度大于所述第二碳纳米管与所述第三碳纳米管的宽度。5.如权利要求2所述的芯片组件，其特征在于，所述芯片组件还包括导电连接层，所述导电连接层设于所述碳纳米管与所述第一电极之间；和/或，所述导电连接层设于所述碳纳米管与所述第二电极之间。6.如权利要求5所述的芯片组件，其特征在于，所述导电连接层设于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，萧俊龙，汪楷伦，范春林，汪庆，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：