【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种整流二极管器件。
技术介绍
1、二极管器件是一种具有单向传导电流的电子器件，在半导体二极管内部有一个pn结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性，广泛用于电子产品和通信等方面。目前很多的二极管器件的封装体积较大导致芯片被大范围的包覆导致散热效率和散热的均匀性差，导致长时间使用过程中器件性能的稳定性差。
技术实现思路
1、本技术目的是提供一种整流二极管器件，该整流二极管器件既可以提高散热的效率和均匀性，又可以减小封装体内部的应力，还可以提高芯片边缘处与环氧的结合力，从而提升器件的使用寿命和电气性能。
2、为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种整流二极管器件，包括：水平设置的二极管芯片、上电极、下电极和包覆于二极管芯片外侧的环氧封装体，水平延伸的所述上电极的一端为与二极管芯片的上表面电连接的上连接部、另一端为延伸至环氧封装体外侧的第一引脚部，水平延伸的所述下电极的一端为与二极管芯片的下表面电连接的下连接部、另一...
【技术保护点】
1.一种整流二极管器件，包括：水平设置的二极管芯片（1）、上电极（2）、下电极（3）和包覆于二极管芯片（1）外侧的环氧封装体（4），其特征在于：水平延伸的所述上电极（2）的一端为与二极管芯片（1）的上表面电连接的上连接部（21）、另一端为延伸至环氧封装体（4）外侧的第一引脚部（23），水平延伸的所述下电极（3）的一端为与二极管芯片（1）的下表面电连接的下连接部（31）、另一端为延伸至环氧封装体（4）外侧的第二引脚部（33）；
2.根据权利要求1所述的整流二极管器件，其特征在于：所述上连接部（21）的下表面和下连接部（31）的上表面并位于二极管芯片（1）四周...
【技术特征摘要】
1.一种整流二极管器件，包括：水平设置的二极管芯片（1）、上电极（2）、下电极（3）和包覆于二极管芯片（1）外侧的环氧封装体（4），其特征在于：水平延伸的所述上电极（2）的一端为与二极管芯片（1）的上表面电连接的上连接部（21）、另一端为延伸至环氧封装体（4）外侧的第一引脚部（23），水平延伸的所述下电极（3）的一端为与二极管芯片（1）的下表面电连接的下连接部（31）、另一端为延伸至环氧封装体（4）外侧的第二引脚部（33）；
2.根据权利要求1所述的整流二极管器件，其特征在于：所述上连接部（21）的下表面和下连接部（31）的上表面并位于二极管芯片（1...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖兵，沈礼福，张明志，
申请(专利权)人：苏州达晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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