【技术实现步骤摘要】
本技术涉及esd器件封装,具体涉及一种具有阻抗匹配功能的esd器件。
技术介绍
1、随着电子产品的迅速发展,产品趋于小型化,i c芯片的纳米技术趋于成熟,随之而来的问题是i c芯片的ems抗扰度承受能力降低,需增加相应的esd等保护器件做ems抗扰度防护,从而提升电子产品在实际应用环境中的可靠性及使用寿命。半导体esd器件是一类用于保护电子器件免受静电放电(esd)损害的器件。esd是一种常见的静电放电现象,可以产生高能量的电弧和瞬间的电压脉冲,可能对集成电路和其他电子设备造成损害或破坏。半导体esd器件通常会被集成到电子系统的输入/输出(i/o)接口、功率线路和通信线路等关键位置。能够快速地吸收和分散esd能量,从而保护电子器件和系统免受esd损害。
2、esd器件封装行业内正在追求解决通信产品空间要求的问题,随着电子产品小型化的需求越来越高,现有的esd器件难以满足在小空间内具有匹配阻抗的功能,因此需要一种空间占用低,阻抗可以匹配的esd器件。
技术实现思路
1、本技术的目
...【技术保护点】
1.一种具有阻抗匹配功能的ESD器件,其特征在于:包括产品晶粒(1);
2.如权利要求1所述的具有阻抗匹配功能的ESD器件,其特征在于:所述阻抗部(5)为呈L型的电阻体。
3.如权利要求1所述的具有阻抗匹配功能的ESD器件,其特征在于:所述阻抗部(5)为呈不规则型的电阻体。
4.如权利要求1所述的具有阻抗匹配功能的ESD器件,其特征在于:所述封装部(6)为环氧树脂黑胶制成的构件。
5.如权利要求1-4任意一项所述的具有阻抗匹配功能的ESD器件,其特征在于:所述左电极片(3)和右电极片(4)均凸出封装部(6)设置,且所述左
...【技术特征摘要】
1.一种具有阻抗匹配功能的esd器件,其特征在于:包括产品晶粒(1);
2.如权利要求1所述的具有阻抗匹配功能的esd器件,其特征在于:所述阻抗部(5)为呈l型的电阻体。
3.如权利要求1所述的具有阻抗匹配功能的esd器件,其特征在于:所述阻抗部(5)为呈不规则型的电阻体。
【专利技术属性】
技术研发人员:张明志,廖兵,沈礼福,
申请(专利权)人:苏州达晶微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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