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本技术公开一种整流二极管器件，包括：水平设置的二极管芯片、上电极、下电极和包覆于二极管芯片外侧的环氧封装体，所述上电极的上连接部下方形成有一上减薄区，所述下电极的下连接部上方形成有一下减薄区，所述二极管芯片位于上减薄区与下减薄区内，所述上连...
该专利属于苏州达晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州达晶微电子有限公司授权不得商用。

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