半桥整流器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种半桥整流器件，包括2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架上；所述第一引线架和第二引线架均进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的竖金属板和向下外凸的焊接凸部，所述第一引线架和第二引线架各自的横金属板位于2个二极管芯片的上方，所述第一引线架和第二引线架各自的竖金属板分别对称地设置于2个二极管芯片的两侧；所述第一引线架和第二引线架各自的焊接凸部分别通过焊锡层与2个二极管芯片各自同极性另一端电连接。本实用新型专利技术既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求。

【技术实现步骤摘要】
半桥整流器件
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种半桥整流器件。
技术介绍
现有的整流器件将整流二极管芯片封装在一个壳体内，将交流电经过整流变成直流电的半导体器件。整流桥包括全桥和半桥，全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起，半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路。现有半桥器件的体积较大，因而不能满足市场上对于小型化和薄型化需求。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种半桥整流器件，该半桥整流器件既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种半桥整流器件，包括2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架上，所述金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半桥整流器件，其特征在于：包括2个二极管芯片（1）、金属基座（2）、第一引线架（3）和第二引线架（10），一环氧封装层（4）包覆于2个二极管芯片（1）、金属基座（2）、第一引线架（3）和第二引线架（10）上，所述金属基座（2）的上表面具有2个支撑部（21），所述2个二极管芯片（1）位于金属基座（2）正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层（5）与金属基座（2）的2个支撑部（21）电连接，位于金属基座（2）下端的第一引脚部（22）从环氧封装层（4）内延伸出；/n所述第一引线架（3）和第二引线架（10）均进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的竖金属板（7）和向下外凸的焊接凸部（...

【技术特征摘要】
1.一种半桥整流器件，其特征在于：包括2个二极管芯片（1）、金属基座（2）、第一引线架（3）和第二引线架（10），一环氧封装层（4）包覆于2个二极管芯片（1）、金属基座（2）、第一引线架（3）和第二引线架（10）上，所述金属基座（2）的上表面具有2个支撑部（21），所述2个二极管芯片（1）位于金属基座（2）正上方并且其同极性一端分别通过焊锡层（5）与金属基座（2）的2个支撑部（21）电连接，位于金属基座（2）下端的第一引脚部（22）从环氧封装层（4）内延伸出；
所述第一引线架（3）和第二引线架（10）均进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的竖金属板（7）和向下外凸的焊接凸部（8），所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自的横金属板（6）位于2个二极管芯片（1）的上方，所述第一引线架（3）和第二引线架（10）各自的竖金属板（7）分别对称地设置于2个二极管芯片（1）的两侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖兵，沈礼福，
申请(专利权)人：苏州达晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32