贴片式半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种贴片式半导体器件，包括二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆于二极管芯片、金属基座和引线架上，所述金属基座位于二极管芯片的正下方并且位于其上端的支撑部通过焊锡层与二极管芯片一极电连接，位于金属基座下端的引脚区部从环氧封装层内延伸出，所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所述横金属板的中央具有一焊接区，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且其焊接区通过焊锡层与二极管芯片另一极电连接。本实用新型专利技术既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求。

【技术实现步骤摘要】
贴片式半导体器件
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种贴片式半导体器件。
技术介绍
贴片式半导体器件是一种具有单向传导电流的电子器件，在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性，广泛用于电子产品和通信等方面。一般来讲，贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性，而目前很多的贴片二极管的体积较大，因而不能满足市场上对于小型化和薄型化需求。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种贴片式半导体器件，该贴片式半导体器件既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种贴片式半导体器件，包括二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆于二极管芯片、金属基座和引线架上，所述金属基座位于二极管芯片的正下方并且位于其上端的支撑部通过焊锡层与二极管芯片一极电连接，位于金属基座下端的引脚区部从环氧封装层内延伸出，所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所述横金属板的中央具有一焊接区，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且其焊接区通过焊锡层与二极管芯片另一极电连接，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端分别为第一引脚部、第二引脚部，此第一引脚部、第二引脚部均从环氧封装层内延伸出。上述技术方案中进一步改进的方案如下：1.上述方案中，所述第一竖金属板和第二竖金属板均从环氧封装层的底表面延伸出。2.上述方案中，所述金属基座从环氧封装层的底表面延伸出。3.上述方案中，所述金属基座的引脚区部与引线架的第二引脚部占环氧封装层的底表面的面积比为10：2~5。由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：本技术贴片式半导体器件，其金属基座位于二极管芯片的正下方并且位于其上端的支撑部通过焊锡层与二极管芯片一极电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出，所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且与二极管芯片另一极电连接，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端为第二引脚部，此第二引脚部从环氧封装层内延伸出，既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。附图说明附图1为本技术贴片式半导体器件结构示意图；附图2为本技术贴片式半导体器件的剖视结构示意图。以上附图中：1、二极管芯片；2、金属基座；21、支撑部；22、引脚区部；3、引线架；4、环氧封装层；5、焊锡层；6、横金属板；61、焊接区；7、第一竖金属板；8、第二竖金属板；91、第一引脚部；92、第二引脚部。具体实施方式在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例1：一种贴片式半导体器件，包括二极管芯片1、金属基座2和引线架3，一环氧封装层4包覆于二极管芯片1、金属基座2和引线架3上，所述金属基座2位于二极管芯片1的正下方并且位于其上端的支撑部21通过焊锡层5与二极管芯片1一极电连接，位于金属基座2下端的引脚区部22从环氧封装层4内延伸出，所述引线架3进一步包括横金属板6和分别位于横金属板6两端的第一竖金属板7和第二竖金属板8，所述横金属板6的中央具有一焊接区61，所述引线架3的横金属板6位于二极管芯片1的正上方且其焊接区61通过焊锡层5与二极管芯片1另一极电连接，所述第一竖金属板7和第二竖金属板8各自与横金属板6相背的一端分别为第一引脚部91、第二引脚部92，此第一引脚部91、第二引脚部92均从环氧封装层4内延伸出。上述金属基座2的第一引脚部22与引线架3的第二引脚部9占环氧封装层4的底表面的面积比为10：3。实施例2：一种贴片式半导体器件，包括二极管芯片1、金属基座2和引线架3，一环氧封装层4包覆于二极管芯片1、金属基座2和引线架3上，所述金属基座2位于二极管芯片1的正下方并且位于其上端的支撑部21通过焊锡层5与二极管芯片1一极电连接，位于金属基座2下端的引脚区部22从环氧封装层4内延伸出，所述引线架3进一步包括横金属板6和分别位于横金属板6两端的第一竖金属板7和第二竖金属板8，所述横金属板6的中央具有一焊接区61，所述引线架3的横金属板6位于二极管芯片1的正上方且其焊接区61通过焊锡层5与二极管芯片1另一极电连接，所述第一竖金属板7和第二竖金属板8各自与横金属板6相背的一端分别为第一引脚部91、第二引脚部92，此第一引脚部91、第二引脚部92均从环氧封装层4内延伸出。上述第一竖金属板7和第二竖金属板8均从环氧封装层4的底表面延伸出。上述金属基座2从环氧封装层4的底表面延伸出。上述金属基座2的第一引脚部22与引线架3的第二引脚部92占环氧封装层4的底表面的面积比为10：4。采用上述贴片式半导体器件时，其既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种贴片式半导体器件，其特征在于：包括二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3），一环氧封装层（4）包覆于二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3）上，所述金属基座（2）位于二极管芯片（1）的正下方并且位于其上端的支撑部（21）通过焊锡层（5）与二极管芯片（1）一极电连接，位于金属基座（2）下端的引脚区部（22）从环氧封装层（4）内延伸出，所述引线架（3）进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的第一竖金属板（7）和第二竖金属板（8），所述横金属板（6）的中央具有一焊接区（61），所述引线架（3）的横金属板（6）位于二极管芯片（1）的正上方且其焊接区（61）通过焊锡层（5）与二极管芯片（1）另一极电连接，所述第一竖金属板（7）和第二竖金属板（8）各自与横金属板（6）相背的一端分别为第一引脚部（91）、第二引脚部（92），此第一引脚部（91）、第二引脚部（92）均从环氧封装层（4）内延伸出。/n

【技术特征摘要】
1.一种贴片式半导体器件，其特征在于：包括二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3），一环氧封装层（4）包覆于二极管芯片（1）、金属基座（2）和引线架（3）上，所述金属基座（2）位于二极管芯片（1）的正下方并且位于其上端的支撑部（21）通过焊锡层（5）与二极管芯片（1）一极电连接，位于金属基座（2）下端的引脚区部（22）从环氧封装层（4）内延伸出，所述引线架（3）进一步包括横金属板（6）和分别位于横金属板（6）两端的第一竖金属板（7）和第二竖金属板（8），所述横金属板（6）的中央具有一焊接区（61），所述引线架（3）的横金属板（6）位于二极管芯片（1）的正上方且其焊接区（61）通过焊锡层（5）与二极管芯片（1）另一极电连接，所述第一竖金属板（...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖兵，沈礼福，
申请(专利权)人：苏州达晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32