【技术实现步骤摘要】
一种防溢胶的引线框架结构
本技术属于系统级封装SiP
,具体来说是一种防溢胶的引线框架结构。
技术介绍
众所周知,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,可以说引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。但随着半导体产业的不断发展,封装技术的不断提高,多芯片封装的广泛应用,使用传统的引线框架封装出现的问题也越来越多。例如贴片区域不够,溢胶区域难控制,封装后产品脱层,等等。本专利技术主要针对如何解决使用引线框架进行多芯片封装时会出现溢胶范围难以控制的问题,来做的一种引线框架外形设计,这种设计不仅可以有效的控制溢胶情况,同时也可以对分层产生一定的帮助。
技术实现思路
1.技术要解决的技术问题本技术的目的在于解决现有的引线框架在进行多芯片封装时会出现溢胶范围难以控制的问题。2.技术方案为达到上述目的,本技术提供的技术方案为:本技术的一种防溢胶的引线框架结构,包括引线框架,所述引线框架上贴装有若干个芯片,所述引线框架在相邻的芯片之间的区域设有凹槽。优选的,所述凹槽的宽度为0.22~0.28mm,所述凹槽的深度为0.08~0.12mm。优选的,所述凹槽的深度与所述引线框架厚度之比为1:1.6~1:2.4。优选的,所述凹槽长度大于相邻的芯片的宽度。优选的,所述引线框架上设有基岛和镀层,所述镀层覆盖基岛和引脚的相应打线区域,所述凹槽设置于所述基岛上。优选的,所述引线框架边缘设有引脚与所述芯片导通。优选的,若干个所述芯片与所述基岛之 ...
【技术保护点】
1.一种防溢胶的引线框架结构,包括引线框架(100),其特征在于:所述引线框架(100)上贴装有若干个芯片(150),所述引线框架(100)在相邻的芯片(150)之间的区域设有凹槽(110)。/n
【技术特征摘要】
1.一种防溢胶的引线框架结构,包括引线框架(100),其特征在于:所述引线框架(100)上贴装有若干个芯片(150),所述引线框架(100)在相邻的芯片(150)之间的区域设有凹槽(110)。
2.根据权利要求1所述的一种防溢胶的引线框架结构,其特征在于:所述凹槽(110)的宽度为0.22~0.28mm,所述凹槽(110)的深度为0.08~0.12mm。
3.根据权利要求1所述的一种防溢胶的引线框架结构,其特征在于:所述凹槽(110)的深度与所述引线框架(100)厚度之比为1:1.6~1:2.4。
4.根据权利要求1所述的一种防溢胶的引线框架结构,其特征在于:所述凹槽(...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡孝伟,代文亮,伊海伦,黄志远,
申请(专利权)人:上海芯波电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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