【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维存储器件和制作方法
本申请涉及半导体
，以及具体涉及三维(3D)半导体存储器件以及其制作方法。
技术介绍
对电子消费品、云和大数据的不断增长的需求带来了对更大容量、更高性能的NAND存储器的持续需求。常规的二维(2D)NAND存储器接近其物理极限，现在三维(3D)NAND存储器正在发挥重要作用。3DNAND存储器使用单个芯片中的多个堆叠层来实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗以及更好的成本有效性。在3DNAND存储器件的制作期间，蚀刻出用于栅极线缝隙(GLS)的开口，以及在衬底以上形成腔穴。然后，同时并且分别在腔穴的底表面和侧壁上执行单晶硅和多晶硅的选择性外延生长。由于在底表面上的外延生长比在侧壁上的外延生长更快，因此侧壁上的生长受到影响，并且变得不完整，导致在存储器件的一些地方的多晶硅的不完全填充。
技术实现思路
在本公开内容的一个方面中，一种用于三维(3D)NAND存储器件的制作方法包括：在衬底之上沉积覆盖层；在覆盖层之上沉积牺牲层；在牺牲层之上沉积层堆叠；形成贯穿层堆...
【技术保护点】
1.一种用于制作三维(3D)存储器件的方法，包括：/n在衬底之上沉积覆盖层；/n在所述覆盖层之上沉积牺牲层；/n在所述牺牲层之上沉积层堆叠，所述层堆叠包括在近似垂直于所述衬底的方向上交替地堆叠的多个第一堆叠层和多个第二堆叠层；/n形成贯穿所述层堆叠和所述牺牲层延伸的沟道层；/n执行第一外延生长，以在所述沟道层的接近所述衬底的侧面部分上沉积第一外延层；/n去除所述覆盖层；以及/n执行第二外延生长，以同时地对所述第一外延层加厚并且在所述衬底上沉积第二外延层。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制作三维(3D)存储器件的方法，包括：
在衬底之上沉积覆盖层；
在所述覆盖层之上沉积牺牲层；
在所述牺牲层之上沉积层堆叠，所述层堆叠包括在近似垂直于所述衬底的方向上交替地堆叠的多个第一堆叠层和多个第二堆叠层；
形成贯穿所述层堆叠和所述牺牲层延伸的沟道层；
执行第一外延生长，以在所述沟道层的接近所述衬底的侧面部分上沉积第一外延层；
去除所述覆盖层；以及
执行第二外延生长，以同时地对所述第一外延层加厚并且在所述衬底上沉积第二外延层。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在沉积所述第一外延层之前蚀刻所述牺牲层。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述沟道层之前，形成贯穿所述层堆叠和所述牺牲层延伸的功能层；
其中，形成所述沟道层包括形成与所述功能层邻近的所述沟道层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述功能层包括：
通过蚀刻来形成贯穿所述层堆叠和所述牺牲层的沟道孔；
在所述沟道孔的侧壁上形成阻挡层；
在所述阻挡层上形成存储层；以及
在所述存储层上形成隧穿绝缘层。
5.根据权利要求4所述的方法，在执行所述第一外延生长之前还包括：
去除所述阻挡层的接近所述衬底的部分，以露出所述存储层的部分；
去除所述存储层的所述部分，以露出所述隧穿绝缘层的部分；以及
去除所述隧穿绝缘层的所述部分，以露出所述沟道层的所述侧面部分。
6.根据权利要求3所述的方法，在执行所述第一外延生长之前还包括：
去除所述功能层的接近所述衬底的部分，以露出所述沟道层的所述侧面部分。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述功能层的部分处于所述沟道层与所述多个第一堆叠层中的一者之间。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
通过蚀刻工艺来去除所述多个第一堆叠层。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
形成多个导体层，所述多个导体层和所述多个第二堆叠层在近似垂直于所述衬底的所述方向上交替地堆叠。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一外延层和所述第二外延层相互电耦合。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括：
形成贯穿所述层堆叠延伸的栅极线缝隙(GLS)；以及
利用导电材料填充所述GLS，以形成与所述第二外延层电连接的导电层。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟道层包括：在所述层堆叠和所述衬底之间向外突出的部分。
13.一种用于制作三维(3D)存储器件的方法，包括：
在衬底之上沉积牺牲层；
在所述牺牲层之上沉积层堆叠，所述层堆叠包括在近似垂直于所述衬底的方向上交替地堆叠的多个第一堆叠层和多个第二堆叠层；
形成贯穿所述层堆叠和所述牺牲层延伸的沟道层；
形成遮蔽所述衬底的覆盖层；
执行第一外延生长，以在所述沟道层的接近所述衬底的侧面部分上沉积第一外延层；
去除所述覆盖层；以及
执行第二外延生长，以同时地对所述第一外延层加厚并且在所述衬底上沉积第二外...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴林春，张坤，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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