【技术实现步骤摘要】
3DNAND的台阶结构的形成方法以及3DNAND存储器及其制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种3DNAND的台阶结构的形成方法以及3DNAND存储器及其制造方法。
技术介绍
随着集成电路中器件的特征尺寸的不断缩小，堆叠多个平面的存储单元以实现更大存储容量并实现每比特更低成本的3D存储器技术越来越受到青睐。3D存储器是一种堆叠数据单元的技术，目前已可实现32层以上，甚至72层、96层、128层或更多层数据单元的堆叠。3D存储器件的垂直存储结构由多层介质薄膜堆叠形成，其中的字线层需要经字线接触引出。现有技术中通常采用在存储阵列两侧形成台阶区，在台阶区上形成每一字线层的接触。现有技术中，通常在核心区的两侧分别形成台阶区，并且为了实现相邻核心区的彼此绝缘，通常在相邻的台阶区之间保留隔离空间。由此，增加了台阶区在衬底上的占用面积，不利于器件尺寸的缩小。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种3DNAND的台阶结构的形成方法以及3DNA...
【技术保护点】
1.一种3D NAND存储器的台阶结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括多个核心区及位于所述核心区两侧的台阶区；/n在所述台阶区形成多个分区台阶；/n在相邻的两个所述核心区之间的每一个所述分区台阶中形成第一部分和第二部分，所述第一部分的台阶自相邻的两个所述核心区中的第一核心区向第二核心区逐级降低，所述第二部分的台阶自所述第二核心区向所述第一核心区逐级降低，所述第一部分和所述第二部分在预定方向上相互交错排列。/n
【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器的台阶结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括多个核心区及位于所述核心区两侧的台阶区；
在所述台阶区形成多个分区台阶；
在相邻的两个所述核心区之间的每一个所述分区台阶中形成第一部分和第二部分，所述第一部分的台阶自相邻的两个所述核心区中的第一核心区向第二核心区逐级降低，所述第二部分的台阶自所述第二核心区向所述第一核心区逐级降低，所述第一部分和所述第二部分在预定方向上相互交错排列。
2.根据权利要求1所述的台阶结构的形成方法，其特征在于，还包括：
在相邻的两个所述核心区之间的所述分区台阶中形成隔离结构，所述隔离结构隔离相邻的所述分区台阶，并且将所述分区台阶的所述第一部分与所述第二核心区隔离，将所述分区台阶的所述第二部分与所述第一核心区隔离。
3.根据权利要求2所述的台阶结构的形成方法，其特征在于，在相邻的两个所述核心区之间的所述分区台阶中形成隔离结构还包括以下步骤：
在相邻的两个所述核心区之间的所述分区台阶中形成沿第一方向上延伸并贯穿所述分区台阶的第一沟槽；
在所述第一沟槽的两端形成自所述第一沟槽的两端在与所述第一方向垂直的第二方向上沿相反方向延伸的第二沟槽。
4.根据权利要求3所述的台阶结构的形成方法，其特征在于，在相邻的两个所述核心区之间的所述分区台阶中形成沿第一方向上延伸并贯穿所述分区台阶的第一沟槽还包括以下步骤：在相邻的两个所述分区台阶之间形成所述第一沟槽。
5.根据权利要求4所述的台阶结构的形成方法，其特征在于，在所述第一沟槽的两端形成自所述第一沟槽的两端在与所述第一方向垂直的第二方向上沿相反方向延伸的第二沟槽还包括以下步骤：
在所述第一部分和所述第二核心区之间形成所述第二沟槽；
在所述第二部分和所述第一核心区之间形成所述第二沟槽。
6.根据权利要求3所述的台阶结构的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充隔离材料。
7.一种3DNAND存储器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
按照权利要求1-6中任意一项所述的台阶结构的形成方法在衬底的堆叠结构中形成台阶结构；
在所述堆叠结构的核心区形成存储结构；
形成沿所述堆叠结构的堆叠方向贯穿所述堆叠结构的栅线缝隙，所述栅线缝隙在与所述堆叠方向垂直的第一方向上延伸并穿过所述台阶结构；
替换所述堆叠结构中的牺牲层形成字线层。
8.根据权利要求7所述的3DNAND存储器制造方法，形成贯穿所述堆叠结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，汤召辉，周玉婷，曾凡清，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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