温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种台阶结构的形成方法以及3D NAND存储器及其制造方法，在台阶结构以及3D NAND存储器的形成过程中，在堆叠结构中形成多个核心区及台阶区，台阶区形成多个分区台阶，在位于相邻两个核心区之间的每一个分区台阶形成交错排列且彼此绝缘...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。