在三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法技术

公开了具有阶梯结构的3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括存储阵列结构和阶梯结构，该阶梯结构在存储阵列结构的中间体中并且将存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和连接第一存储阵列结构和第二存储阵列结构的桥接结构。桥接结构包括下部壁部分和上部阶梯部分。第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第一对阶梯。各阶梯包括台阶。第一对阶梯中的至少一个台阶通过桥接结构电连接至第一存储阵列结构和第二存储阵列结构中的至少一者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法
本公开内容的实施例涉及三维(3D)存储器件以及其制造方法。
技术介绍
通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩小到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果，针对平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储架构可以解决在平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储阵列和用于控制去往存储阵列和来自存储阵列的信号的外围器件。
技术实现思路
本文公开了具有阶梯结构的3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：存储阵列结构和阶梯结构，该阶梯结构在存储阵列结构的中间体中并且将存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构。阶梯结构包括第一阶梯区域和连接第一存储阵列结构和第二存储阵列结构的桥接结构。桥接结构包括下部壁部分和上部阶梯部分。第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第一对阶梯。各阶梯包括多个台阶。第一对阶梯中的至少一个台阶通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：/n存储阵列结构；以及/n阶梯结构，其在所述存储阵列结构的中间体中并且将所述存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构，所述阶梯结构包括第一阶梯区域和连接所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构的桥接结构，其中，/n所述桥接结构包括下部壁部分和上部阶梯部分；/n所述第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的至少一对阶梯，各阶梯包括多个台阶；以及/n所述阶梯中的至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的至少一者。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器件，包括：
存储阵列结构；以及
阶梯结构，其在所述存储阵列结构的中间体中并且将所述存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构，所述阶梯结构包括第一阶梯区域和连接所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构的桥接结构，其中，
所述桥接结构包括下部壁部分和上部阶梯部分；
所述第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的至少一对阶梯，各阶梯包括多个台阶；以及
所述阶梯中的至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的至少一者。


2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述上部阶梯部分包括在所述第一横向方向上并且在相同的深度处彼此面对的至少一对阶梯。


3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述上部阶梯部分包括在所述第一横向方向上在所述相同的深度处的多个阶梯。


4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其中，所述桥接结构还包括互连，所述互连对在所述上部阶梯部分的所述阶梯的相同水平处的一组台阶进行电连接。


5.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述阶梯中的所述至少一个台阶通过所述互连和在所述上部阶梯部分的所述阶梯的所述相同水平处的所述一组台阶，电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的所述至少一者。


6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述至少一对阶梯中的各阶梯包括在垂直于所述第一横向方向的第二横向方向上的多个分区。


7.根据权利要求1-6中的任何一项所述的3D存储器件，其中，
所述阶梯结构还包括第二阶梯区域；并且
所述桥接结构在所述第二横向方向上在所述第一阶梯区域与所述第二阶梯区域之间。


8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述第一阶梯区域和所述第二阶梯区域是在所述第二横向方向上相对于所述桥接结构对称的。


9.根据权利要求1-8中的任何一项所述的3D存储器件，还包括在所述存储阵列结构和所述桥接结构中横向地延伸的至少一个字线，使得所述至少一个台阶通过所述至少一个字线经由所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的所述至少一者。


10.根据权利要求1-9中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述阶梯中的所述至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的各者。


11.根据权利要求1-10中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述桥接结构的所述下部壁部分包括垂直地交错的导电层和电介质层。


12.一种三维(3D)存储器件，包括：
存储阵列结构；以及
阶梯结构，其在所述存储阵列结构的中间体中并且将所述存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构，所述阶梯结构包括第一阶梯区域和连接所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构的桥接结构，其中，
所述桥接结构包括下部壁部分、上部阶梯部分和互连；
所述上部阶梯部分包括在第一横向方向上在相同的深度处的多个阶梯，各阶梯包括多个台阶；并且
所述互连对在所述桥接结构的所述上部阶梯部分的所述阶梯的相同水平处的一组台阶进行电连接。


13.根据权利要求12所述的3D存储器件，其中，
所述第一阶梯区域包括在所述第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的至少一对阶梯；并且
所述阶梯中的至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的至少一者。


14.根据权利要求13所述的3D存储器件，还包括在所述存储阵列结构和所述桥接结构中横向地延伸的至少一个字线，使得所述至少一个台阶通过所述至少一个字线经由所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的所述至少一者。


15.根据权利要求13或14所述的3D存储器件，其中，所述阶梯中的所述至少一个台阶通过所述桥接结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙中旺，张中，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42