三维存储器的形成方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有第一堆叠层，所述第一堆叠层包括核心区域和位于所述核心区域一侧的台阶区域，所述核心区域背离所述台阶区域的一侧为倾斜侧面，所述核心区域内具有第一沟道孔；形成至少覆盖所述倾斜侧面的牺牲层；沉积填充材料于所述第一堆叠层，形成填充所述第一沟道孔的填充层，覆盖于所述牺牲层表面的所述填充材料形成残留层；去除所述牺牲层，所述残留层随所述牺牲层的去除而剥离。本发明专利技术实现了对残留层的充分去除，避免了残余的所述残留层对后续工艺的影响。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种三维存储器的形成方法。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。3DNAND存储器的堆叠结构通常包括阵列区域和至少位于阵列区域一侧的台阶区域，所述阵列区域背离所述台阶区域的一侧形成倾斜侧面。然而，由于现有工艺的限制，在所述阵列区域的所述倾斜侧面经常会残留多晶硅等材料。这些残留不仅会影响后续工艺的顺利进行，而且后续工艺极易导致残留的剥离，从而在晶圆表面产生划痕等缺陷，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一衬底，所述衬底表面具有第一堆叠层，所述第一堆叠层包括核心区域和位于所述核心区域一侧的台阶区域，所述核心区域背离所述台阶区域的一侧为倾斜侧面，所述核心区域内具有第一沟道孔；/n形成至少覆盖所述倾斜侧面的牺牲层；/n沉积填充材料于所述第一堆叠层，形成填充所述第一沟道孔的填充层，覆盖于所述牺牲层表面的所述填充材料形成残留层；/n去除所述牺牲层，所述残留层随所述牺牲层的去除而剥离。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，所述衬底表面具有第一堆叠层，所述第一堆叠层包括核心区域和位于所述核心区域一侧的台阶区域，所述核心区域背离所述台阶区域的一侧为倾斜侧面，所述核心区域内具有第一沟道孔；
形成至少覆盖所述倾斜侧面的牺牲层；
沉积填充材料于所述第一堆叠层，形成填充所述第一沟道孔的填充层，覆盖于所述牺牲层表面的所述填充材料形成残留层；
去除所述牺牲层，所述残留层随所述牺牲层的去除而剥离。


2.根据权利要求1所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一堆叠层位于所述第一表面；形成至少覆盖所述倾斜侧面的牺牲层的具体步骤包括：
沉积牺牲材料于所述衬底和所述第一堆叠层表面，形成连续覆盖所述第一堆叠层背离所述衬底的表面、所述倾斜侧面、暴露的所述第一表面、所述衬底的侧面、以及所述第二表面的牺牲层。


3.根据权利要求2所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层覆盖所述第一堆叠层背离所述衬底的表面的宽度为0.5mm～2mm。


4.根据权利要求2所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，形成至少覆盖所述倾斜侧面的牺牲层之前，还包括如下步骤：
形成覆盖所述倾斜侧面的保护层，所述牺牲层相对于所述保护层具有刻蚀选择性。


5.根据权利要求2所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，沉积填充材料于所述第一堆叠层的具体步骤包括：
沉积填充材料于所述第一堆叠层，形成填充所述第一沟道孔的填充层，连续覆盖于所述第一堆叠层背离所述衬底表面以及所有所述牺牲层表面的所述填充材料形成残留层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：徐前兵，张磊，鲁周阳，董明，张若芳，张富山，阳涵，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42