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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有第一堆叠层，所述第一堆叠层包括核心区域和位于所述核心区域一侧的台阶区域，所述核心区域背离所述台阶区域的一侧为倾...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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