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提供了三维(3D)NAND存储器件和方法。在一个方面中，一种制作方法包括：在衬底之上沉积覆盖层；在覆盖层之上沉积牺牲层；在牺牲层之上沉积层堆叠；形成贯穿层堆叠和牺牲层延伸的沟道层；执行第一外延生长，以在沟道层的接近衬底的侧面部分上沉积第一外...
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