【技术实现步骤摘要】
一种中央部分去除的玻璃载板
本专利技术涉及晶片生产领域,具体的是一种中央部分去除的玻璃载板。
技术介绍
在目前,一个玻璃载板临时键合在硅晶圆上,被广泛地用在生产传送晶片进行薄化及背面金属沉积工艺中。MOSFETandIGBT的功率器件及3D封装需要在晶圆双边做金属金属沉积等工艺,目前的方法是依序先正面然后背面工艺。现有技术的晶片生产工艺是先完成晶片清洗,氧化物沉积光刻布图,刻蚀成图,金属沉积等工艺,然后将晶片正面与玻璃载板键合,进行晶片背面减薄清洗金属沉积等工艺后再解键合。这需要多次不同工艺设备之间的传送及分别进行正面和背面金属沉积时间,使得薄晶片因传送而破损机率高,分次金属沉积耗时多。
技术实现思路
为解决上述
技术介绍
中提到的不足,本专利技术的目的在于提供一种中央部分去除的玻璃载板,本专利技术在玻璃载板和晶圆之间设置有键合层,玻璃载板和晶圆之间通过键合层键合固定连接,固定牢固;同时,本专利技术能一次同时进行正面及背面的工艺,以节省数小时的工艺时间,一个边缘保护环玻璃载板可支撑传送 ...
【技术保护点】
1.一种中央部分去除的玻璃载板,其特征在于,所述玻璃载板(1)中央部分去除后形成凹面(11),去除的方法包括腐蚀或减料加工,凹面(11)外侧端形成边缘保护环(12);/n所述玻璃载板(1)侧端设置有晶圆(3),玻璃载板(1)和晶圆(3)之间设置有键合层(2)。/n
【技术特征摘要】
1.一种中央部分去除的玻璃载板,其特征在于,所述玻璃载板(1)中央部分去除后形成凹面(11),去除的方法包括腐蚀或减料加工,凹面(11)外侧端形成边缘保护环(12);
所述玻璃载板(1)侧端设置有晶圆(3),玻璃载板(1)和晶圆(3)之间设置有键合层(2)。
2.根据权利要求1所述的一种中央部分去除的玻璃载板,其特征在于,所述玻璃载板(1)的厚度为200μm~700μm。
3.根据权利要求1所述的一种中央部分去除的玻璃载板,其特征在于,所述凹面(11)最...
【专利技术属性】
技术研发人员:严立巍,李景贤,陈政勋,
申请(专利权)人:绍兴同芯成集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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