【技术实现步骤摘要】
用于晶圆不规则片的湿法工艺治具
本技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体湿法工艺中的不规则晶圆片的承载装置。
技术介绍
对于半导体芯片制造行业中的晶圆加工过程，在光刻、扩散、离子注入以及薄膜沉积之前都需要进行晶圆表面清洗，常见的化学腐蚀有去除光刻胶，去除表面介质膜层，化学腐蚀晶圆表面等，将以上晶圆清洗以及化学腐蚀等工艺统称之为湿法工艺。湿法工艺的一般步骤为：首先将晶圆放置进入湿法工艺治具中，根据当次湿法工艺的具体要求，进行湿法腐蚀或者清洗。因此，选择合适的湿法工艺治具来承载晶圆至关重要。在晶圆加工过程中，因为实验要求、操作失误等很多原因，晶圆可能会破碎成为各种各样的形状，为后续的湿法工艺增加了工艺难度。常见的湿法工艺治具均为特定尺寸专用的治具，晶圆碎片会因为破碎的形状问题难以使用。而且晶圆碎片在湿法工艺过程中，会出现很多的问题。例如，在化学腐蚀工艺中因为转动导致晶圆移位或者晶圆翻转，都会对腐蚀产生重大影响；在清洗工艺中，因为承载晶圆的治具底部接触面积过大导致晶圆容易粘附而不好夹取；此外晶圆碎片只能单片加工，难以批
【技术保护点】
1.一种用于晶圆不规则片的湿法工艺治具，其特征在于，包括：/n置物托，其底部设有多个均匀排布的置物卡槽，每个置物卡槽中均设有多个通孔；该置物托上还设有装配孔；/n可拆卸支撑杆，其垂直置于所述装配孔中。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆不规则片的湿法工艺治具，其特征在于，包括：
置物托，其底部设有多个均匀排布的置物卡槽，每个置物卡槽中均设有多个通孔；该置物托上还设有装配孔；
可拆卸支撑杆，其垂直置于所述装配孔中。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆不规则片的湿法工艺治具，其特征在于，所述置物托底部设有两排置物卡槽，两排置物卡槽中间均设有开口。
3.根据权利要求1所述的用于晶圆不规则片的湿法工艺治具，其特征在于，所述置物卡槽的长度略大于待承载的晶圆半径。
4.根据权利要求1所述的用于晶圆不规则片的湿法工艺治具，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：余沛，王汝冰，刘佳，张阳，
申请(专利权)人：武汉敏芯半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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