三五器件半导体组件制造技术

一种三五器件半导体组件，其特征在于，包括:衬底；外延层，具有源极区及漏极区且设置于衬底上，且于外延层对应漏极区的位置具有突出的外延结构；源极电极，设置外延层上且对应源极区；漏极电极，设置于突出的外延结构上且对应漏极区；以及栅极，设置于外延层上且在源极电极及漏极电极之间。

【技术实现步骤摘要】
三五器件半导体组件
本技术是为提供一种三五器件半导体组件，特别是提供一种具有突出外延层结构的三五器件半导体组件。
技术介绍
三五族(例如：氮化镓)器件目前已经是未来射频(radiofrequency)以及高功率(highpower)器件的潮流之一，但是对于这类器件，一个重要的课题是如何有效提升击穿电压(breakdownvoltage)，使得器件能够符合更高击穿电压的需求。传统做法经常采用在栅极上方设计场板(fieldplate)的方法提高击穿电压。当漏极在操作高电压时，栅极靠漏极端的电场会提高，场板的功能在于吸收来自漏极的电力线，因此可降低栅极靠漏极端的电场，提高装置的击穿电压。然而，这样的设计牺牲了组件的尺寸，同时现今有愈来愈多高击穿电压的组件要求，传统的作法已不符合现今需求。
技术实现思路
为了改善现有技术的缺失，本技术的目的是提出新型的奥姆结构的设计，借由调整漏极的高度，能够有效提升器件的击穿电压能力。基于上述目的，本技术提供一种三五器件半导体组件，其特征在于，包括:衬底；外延层，具有源极区及漏极区且设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三五器件半导体组件，其特征在于，包括:/n衬底；/n外延层，具有源极区及漏极区且设置于所述衬底上，且于所述外延层对应所述漏极区的位置具有突出的外延结构；/n源极电极，设置所述外延层上且对应所述源极区；/n漏极电极，设置于突出的所述外延结构上且对应所述漏极区；以及/n栅极，设置于所述外延层上且在所述源极电极及所述漏极电极之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种三五器件半导体组件，其特征在于，包括:
衬底；
外延层，具有源极区及漏极区且设置于所述衬底上，且于所述外延层对应所述漏极区的位置具有突出的外延结构；
源极电极，设置所述外延层上且对应所述源极区；
漏极电极，设置于突出的所述外延结构上且对应所述漏极区；以及
栅极，设置于所述外延层上且在所述源极电极及所述漏极电极之间。

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊鹏，
申请(专利权)人：吴俊鹏，陈纪宇，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71