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一种三五器件半导体组件，其特征在于，包括:衬底；外延层，具有源极区及漏极区且设置于衬底上，且于外延层对应漏极区的位置具有突出的外延结构；源极电极，设置外延层上且对应源极区；漏极电极，设置于突出的外延结构上且对应漏极区；以及栅极，设置于外延层...
该专利属于吴俊鹏;陈纪宇所有，仅供学习研究参考，未经过吴俊鹏;陈纪宇授权不得商用。

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