量测组件制造技术

一种量测组件可用于量测高电子迁移率晶体管的特性，包括探针及探棒，探针具有探针本体及设置在探针本体一端的尖端，探针本体具有第一导电金属及披覆于第一导电金属的绝缘层，尖端为接触金属。探棒具有第二导电金属及披覆于第二导电金属的第三金属层；探针的尖端设置于高电子迁移率晶体管的氮化镓层，而探棒与高电子迁移率晶体管的P型氮化镓接触。

【技术实现步骤摘要】
量测组件
本技术涉及一种半导体
，特别是有关于一种量测高电子迁移率晶体管的电性的技术。
技术介绍
半导体的整流特性可由萧基接触来量测电性，而非整流特性可由欧姆接触来量测电性。萧基接触是指金属与半导体接触时需要克服萧基能障(schottkybarrier)，电子才能在金属与半导体之间传导。而利用于半导体上沉积萧基金属而形成萧基二极管以量测整流特性。另外，半导体器件因具有金属接触才能让电子载子在金属与半导体之间流动，欧姆接触是指金属与半导体之间具有很小的接触电阻，只要稍微外加偏压，电子就能在金属与半导体之间传导。现有技术中，要验证P型半导体的电性效果，必须完成高电子迁移率晶体管的欧姆金属及萧基金属的制作工艺，相当耗力费时。往往完整的工艺流程包括以下四道工艺：隔离工艺、镁掺杂氮化镓的蚀刻工艺、欧姆金属沉积工艺、萧基金属溅镀工艺；四道工艺步骤繁琐，耗时耗工。因此目前极需一种改良技术，能够节省工艺步骤，以期缩短高电子迁移率晶体管电性量测验证的时间及成本。
技术实现思路
为了改善现有技术的缺失，本技术的目的是提供一种量测组件，可以缩短工艺时间，快速量测P型氮化镓高电子移动晶体管的特性。为达上述目的，本技术的一种量测组件，用于量测高电子迁移率晶体管的特性，包括探针及探棒，探针具有探针本体及设置在探针本体一端的尖端，探针本体具有第一导电金属及披覆于第一导电金属的绝缘层，尖端为接触金属。探棒具有第二导电金属及披覆于第二导电金属的第三金属层；探针的尖端设置于高电子迁移率晶体管的氮化镓层，而探棒与高电子迁移率晶体管的P型氮化镓接触。基于上述，本技术的量测组件中探针的尖端可与高电子迁移率晶体管的氮化镓层发生奥姆接触，而探棒的第三金属层可与高电子迁移率晶体管的镁掺杂氮化镓发生萧基接触。因此，于隔离工艺之后，即可利用本技术的量测组件量测验证高电子迁移率晶体管的特性，可节省工艺步骤。附图说明图1是根据本技术技术，表示量测组件的使用状态示意图。图2是根据本技术技术，表示量测组件的探针示意图。图3是根据本技术技术，表示量测组件的探棒示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术特征及优点，能更为相关
人员所了解，并得以实施本技术，在此配合所附的图式、具体阐明本技术的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本技术特征有关的示意，并未亦不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的
技术实现思路
，亦不再加以陈述。首先，请参照图1，图1表示量测组件的使用状态示意图。本技术的量测组件用于量测高电子迁移率晶体管的特性，如图1所示，高电子迁移率晶体管由下而上至少包含氮化镓衬底30、缓冲层32、及镁掺杂氮化镓34。量测组件包括探针10、探棒20及马达40，马达40分别与探针10及探棒20连接，且对探针10及探棒20提供朝向高电子迁移率晶体管的下压力，使探针10与氮化镓衬底30接触以模拟奥姆接触，而探棒20则与镁掺杂氮化镓34接触以模拟萧基接触。因此，透过本技术的量测组件可快速量测验证高电子迁移率晶体管的特性。接着，请参考图2，图2表示量测组件的探针示意图。如图2所示，探针10具有探针本体11及设置在探针本体11一端的尖端13。尖端13的最长长度为0.5μm～1μm，尖端13的材料为接触金属，接触金属优选为钛或钽，接触金属的厚度优选为1μm～3μm。探针本体11具有第一导电金属14及披覆于第一导电金属14的绝缘层12。第一导电金属14可以是铝、金、铂或铜。绝缘层12为氧化物，绝缘层12的厚度优选为10μm～100μm。配合参考图1，当量测高电子迁移率晶体管的特性时，探针10被下压直至探针10的尖端13到达高电子迁移率晶体管的氮化镓衬底30的位置为止。因此，高电子迁移率晶体管可经由探针10量测接触电阻等非整流特性。接着，请参考图3，图3表示量测组件的探棒示意图。如图3所示，探棒20具有第二导电金属21及披覆于第二导电金属21的第三金属层22。第二导电金属21可以是铝、金、铂或铜。第三金属层22的材料为萧基金属，萧基金属优选为钛、钨或镍，第三金属层22的厚度优选为1μm～3μm。当量测高电子迁移率晶体管的特性时，探棒20被下压直至探棒20的第三金属层22与高电子迁移率晶体管的镁掺杂氮化镓34接触为止。因此，高电子迁移率晶体管可经由探棒20量测萧基能障等整流特性。根据以上所述，本技术的量测组件主要能模拟奥姆接触及萧基接触，可于隔离工艺之后即量测验证高电子迁移率晶体管的特性，不必等到四道工艺皆完成后才能量测特性，而能即时快速取得特性数据。以实现节省工艺步骤，达到缩短70％～80％的工艺时间。以上所述仅为本技术之较佳实施例，并非用以限定本技术之权利范围；同时以上的描述，对于相关
之专门人士应可明了及实施，因此其他未脱离本技术所揭示之精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在申请专利范围中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量测组件，用于量测高电子迁移率晶体管的特性，其特征在于，包括：/n探针，具有探针本体及设置在所述探针本体一端的尖端，所述探针本体具有第一导电金属及披覆于所述第一导电金属的绝缘层，所述尖端为接触金属；以及/n探棒，具有第二导电金属及披覆于所述第二导电金属的第三金属层；/n其中，所述探针的所述尖端设置于所述高电子迁移率晶体管的氮化镓层，而所述探棒与所述高电子迁移率晶体管的P型氮化镓接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种量测组件，用于量测高电子迁移率晶体管的特性，其特征在于，包括：
探针，具有探针本体及设置在所述探针本体一端的尖端，所述探针本体具有第一导电金属及披覆于所述第一导电金属的绝缘层，所述尖端为接触金属；以及
探棒，具有第二导电金属及披覆于所述第二导电金属的第三金属层；
其中，所述探针的所述尖端设置于所述高电子迁移率晶体管的氮化镓层，而所述探棒与所述高电子迁移率晶体管的P型氮化镓接触。


2.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述第一导电金属及所述第二导电金属可以是铝、金、铂或铜。


3.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述第三金属层为钛、钨或镍。


4.如权利要求1所述的量测组件，其特征在于所述接触金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟瑞伦，吴俊鹏，
申请(专利权)人：吴俊鹏，陈纪宇，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71