一种降低三五族半导体器件寄生电容的方法及三五族半导体器件结构技术

一种三五族半导体器件，包括:具有源极区及漏极区的衬底、源极，设置于衬底且对应于源极区、漏极，设置于衬底且对应于漏极区、栅极，设置于源极及漏极之间、第一保护层，具有第一凹槽及第二凹槽分别设置在源极及漏极上，且覆盖部分衬底，且于栅极及源极与漏极之间的衬底上没有覆盖所述第一保护层、第二保护层，设置在位于漏极的第一保护层的侧壁上，且侧壁相邻于所述栅极以及场板结构，设置于第一凹槽及设置于第二凹槽内并覆盖部分位于源极及漏极上的第一保护层，且在源极上的场板结构延伸至第二保护层上以及覆盖在相邻于第二保护层的部分第一保护层，其中在源极区上的第一保护层、场板结构及第一保护层环绕栅极，且场板结构与栅极之间具有空隙。

【技术实现步骤摘要】
一种降低三五族半导体器件寄生电容的方法及三五族半导体器件结构
本专利技术是涉及一种半导体
，特别是有关于一种降低三五族半导体器件寄生电容的方法及三五族半导体器件。
技术介绍
化合物半导体器件，例如氮化镓(GaN)目前已经是射频(RF)及高功率(Highpower)器件的潮流之一。由于氮化镓晶体管的宽能带隙及高的临界崩溃电压，所以氮化镓晶体管是高电压应用的很好候选者。高电压应用包含功率转换器、射频(RF)功率转换器、RF开关及其他高电压应用。但是简单的晶体管架构，例如具有单一栅极、源极和漏极，无法利用这些电特性。此类氮化镓晶体管由于漏极电场线集中在栅极的边缘，并造成过早的崩溃，所以无法实现氮化镓材料特性标示的最早崩溃电压。
技术实现思路
根据现有技术的缺陷，本专利技术主要的目的在于提供一种降低三五族半导体器件寄生电容的方法及三五族半导体器件，三五族半导体器件可应用在射频器件领域里，透过降低半导体器的寄生电容，而提升高频效率。本专利技术另一的目的在于提供一种三五族半导体器件，其中，在三五族半导体器件中的场板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三五族半导体器件，其特征在于，包括:/n衬底，具有源极区及漏极区；/n源极，设置于所述衬底且对应于所述源极区；/n漏极，设置于所述衬底且对应于所述漏极区；/n栅极，设置于所述源极及所述漏极之间；/n第一保护层，具有第一凹槽及第二凹槽分别设置在所述源极及所述漏极上，且覆盖部分所述衬底，且于所述栅极及所述源极与所述漏极之间的所述衬底上没有覆盖所述第一保护层；/n第二保护层，设置在位于所述漏极的所述第一保护层的侧壁上，且所述侧壁相邻于所述栅极；以及/n场板结构，设置于所述第一凹槽及设置于所述第二凹槽内并覆盖位于所述源极及所述漏极上的部分所述第一保护层，且在所述源极上的所述场板结构延伸并覆盖在...

【技术特征摘要】
1.一种三五族半导体器件，其特征在于，包括:
衬底，具有源极区及漏极区；
源极，设置于所述衬底且对应于所述源极区；
漏极，设置于所述衬底且对应于所述漏极区；
栅极，设置于所述源极及所述漏极之间；
第一保护层，具有第一凹槽及第二凹槽分别设置在所述源极及所述漏极上，且覆盖部分所述衬底，且于所述栅极及所述源极与所述漏极之间的所述衬底上没有覆盖所述第一保护层；
第二保护层，设置在位于所述漏极的所述第一保护层的侧壁上，且所述侧壁相邻于所述栅极；以及
场板结构，设置于所述第一凹槽及设置于所述第二凹槽内并覆盖位于所述源极及所述漏极上的部分所述第一保护层，且在所述源极上的所述场板结构延伸并覆盖在所述第二保护层上以及覆盖在相邻所述第二保护层的部分所述第一保护层，其中在所述源极区上的所述第一保护层、所述场板结构及所述第一保护层环绕所述栅极，且所述场板结构与所述栅极之间具有空隙。


2.如权利要求1所述的三五族半导体器件，其特征在于，所述第一保护层及第二保护层可以是硅氧化物、硅氮化物或是聚并环丁烯高分子材料。


3.如权利要求1所述的三五族半导体器件，其特征在于，所述第二保护层的厚度等于第一保护层的厚度。


4.如权利要求1所述的三五族半导体器件，其特征在于，所述场板结构与所述栅极之间的所述空隙的介电常数为1。


5.一种三五族半导体器件，其特征在于，包括:
衬底；
栅极，设置在所述衬底上；
第一保护层，覆盖在部份所述衬底的表面及覆盖在所述栅极的侧壁及顶面上；
第一场板，覆盖在所述衬底的所述表面及覆盖在所述栅极的所述侧壁的所述第一保护层，且所述第一场板具有第一凹槽以暴露出在所述栅极上的所述第一保护层；
第二保护层，覆盖在所述第一场板及部分所述第一保护层上并具有第二凹槽设置于所述栅极的所述顶面上，且所述第二凹槽对应于所述第一凹槽以暴露出在所述栅极的所述顶面上的所述第一保护层；
第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：何伟志，吴俊鹏，
申请(专利权)人：吴俊鹏，陈纪宇，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71