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一种三五族半导体器件，包括:具有源极区及漏极区的衬底、源极，设置于衬底且对应于源极区、漏极，设置于衬底且对应于漏极区、栅极，设置于源极及漏极之间、第一保护层，具有第一凹槽及第二凹槽分别设置在源极及漏极上，且覆盖部分衬底，且于栅极及源极与漏极...
该专利属于吴俊鹏;陈纪宇所有，仅供学习研究参考，未经过吴俊鹏;陈纪宇授权不得商用。

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