TE-cooler MOSFET结构及其制备、调节方法技术

本发明专利技术提供TE‑cooler MOSFET结构及其制备、调节方法，其中，TE‑cooler MOSFET结构包括N型衬底、TE‑cooler P/N结构、P阱、栅极氧化层、场氧化层、层间介质、金属层、第一钝化层、漏极层和第二钝化层。本发明专利技术提供的TE‑cooler MOSFET结构，通过在MOSFET结构上设置TE‑cooler结构，从而极大加强MOSFET的导热散热效果；并且，TE‑cooler结构的制冷量可通过增加TE‑cooler器件对数或减少电阻或调整电流等方式进行调节，使用更加方便。

【技术实现步骤摘要】
TE-coolerMOSFET结构及其制备、调节方法
本专利技术涉及功率器件领域，特别涉及TE-coolerMOSFET结构及其制备、调节方法。
技术介绍
基于SuperJunction技术的功率MOSFET(又称CoolMOS)在一定程度上解决了Rds(on)与BV的矛盾关系，在保持相同BV的情况下可以拥有更低的Rds(on)，同时还具有更少的栅极电荷和输出电荷，这使得它有更快的开关速度以及更小的开关损耗。目前MOSFET的散热性差，若没有良好的散热措施，则MOSFET的温度可能达到或超过器件结温，从而导致器件性能的恶化以致损坏。为解决MOSFET器件的散热问题，公开号为CN208923102U，公开日为20190531的中国专利中公开了一种功率MOSFET器件散热装置，包括芯片封装壳及第一散热片。芯片封装壳用于封装芯片，芯片封装壳上设有S引脚和D引脚，第一散热片内置于所述芯片封装壳内，第一散热片紧贴于芯片S极，芯片封装壳朝向第一散热片的一面上开设有第一通孔，第一散热片背向所述芯片的一面与第一通孔相对设置，使第一散热片背向芯片的一面露本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.TE-cooler MOSFET结构，其特征在于：包括N型衬底(10)；所述N型衬底(10)一侧设有若干交替的P区和N区形成的TE-cooler P/N结构；/n所述N型衬底(10)正面设有若干P阱(20)；所述P阱(20)内设有源极(21)；所述P阱(30)上设有栅极氧化层(30)；所述栅极氧化层(30)一侧设有延伸至TE-cooler P/N结构正面的场氧化层(40)；栅极氧化层(30)和场氧化层(40)上设有层间介质(50)、金属层(60)和第一钝化层(70)；/n所述N型衬底(10)的背面设有漏极层(80)；所述漏极层(80)和TE-cooler P/N结构背面均设有第二钝化层(1...

【技术特征摘要】
1.TE-coolerMOSFET结构，其特征在于：包括N型衬底(10)；所述N型衬底(10)一侧设有若干交替的P区和N区形成的TE-coolerP/N结构；
所述N型衬底(10)正面设有若干P阱(20)；所述P阱(20)内设有源极(21)；所述P阱(30)上设有栅极氧化层(30)；所述栅极氧化层(30)一侧设有延伸至TE-coolerP/N结构正面的场氧化层(40)；栅极氧化层(30)和场氧化层(40)上设有层间介质(50)、金属层(60)和第一钝化层(70)；
所述N型衬底(10)的背面设有漏极层(80)；所述漏极层(80)和TE-coolerP/N结构背面均设有第二钝化层(120)。


2.根据权利要求1所述的TE-coolerMOSFET结构，其特征在于：所述N型衬底(10)的背面与TE-coolerP/N结构的背面平齐。


3.根据权利要求1所述的TE-coolerMOSFET结构，其特征在于：所述层间介质(50)的厚度为1-2μm。


4.根据权利要求1所述的TE-coolerMOSFET结构，其特征在于：所述P区和N区的厚度均为7-10μm。


5.根据权利要求1所述的TE-coolerMOSFET结构，其特征在于：所述场氧化层(40)的厚度为7450A-7550A。


6.如权利要求1-5任一项所述的TE-coolerMOSFET结构的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：
S10、在N型衬底上分别光刻注入第一离子和第二离子，然后往上生长的P区；并在光刻注入第三离子，然后往上生长N区；重复多次后退火，形成TE-cooler中的P/N结构；
S20、然后进行表面场氧化，形成场氧化层后再进行栅氧化层的生长，并淀积多晶硅，利用栅极光刻蚀刻形成栅极；形成栅极后注入第五离子后退火形成PW区；然后光刻注入第六离子形成N+发射区；然后再在表面生长层间介质后进行光刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐守一，陈思凡，蔡铭进，
申请(专利权)人：厦门芯达茂微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35