【技术实现步骤摘要】
一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构
本专利技术涉及功率半导体器件领域，具体涉及一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件(以下简称N型槽栅VDMOS)栅极引入应力的结构。
技术介绍
应变硅技术作为其中一种新技术得到了研究者广泛的关注。总体来说，应变硅技术是通过在器件里引入应力来改变Si的能带结构。通过控制应力的大小，改变器件的载流子的迁移率，进而从根本上提高器件的性能。应变硅技术除了有迁移率高、能带可调的优点以外，还与传统的体硅工艺相兼容。对于集成电路生产者来说，可以在不大幅增加生产线投资的情况下明显提升产品的性能。集成电路产业发展到今天，应变硅技术已经广泛运用到90nm、65nm、45nm的高性能逻辑处理器中。2004年intel首次将应变硅技术运用到其90nm的奔腾处理器中，在2005年，Intel和东芝先后推出了45nm第二代应变硅技术目前，研究者开发多种在MOSFET沟道中引入应变的方法，大体来说可以分成两大类。一类是全局应变方法，即在整个晶圆表面形成一层均匀的晶格应变外延层。另...
【技术保护点】
1.一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极(1)，在其上为N型外延层(2)，在N型外延层中设有氧化物埋层(3)，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层(4)，在氧埋层上设有多晶硅栅极(5)，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层(6)，在栅极两侧设有P型沟道区(7)和N型源极区(8),以及栅极氧化层(10)，在器件上表面有源极区金属接触(9)。/n
【技术特征摘要】
1.一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极(1)，在其上为N型外延层(2)，在N型外延层中设有氧化物埋层(3)，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层(4)，在氧埋层上设有多晶硅栅极(5)，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层(6)，在栅极两侧设有P型沟道区(7)和N型源极区(8),以及栅极氧化层(10)，在器件上表面有源极区金属接触(9)。
2.根据权利要求1所述的一种N...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴汪然，汤鹏宇，钱逸文，杨兰兰，孙伟锋，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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