温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本文提出了一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极接触，在其上为N型外延层，在N型外延层中设有氧化物埋层，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层，在氧埋层上方设有多晶硅栅极，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层，在栅极两侧设...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。