半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括衬底、外延层、源极、漏极及栅极。外延层设置于衬底上，外延层具有源极区、漏极区及设置于源极区与漏极区之间的沟槽。源极设置于外延层上且对应源极区的位置。漏极设置于外延层上且对应漏极区的位置。栅极设置于源极与漏极之间且设置在外延层的沟槽并突出于外延层的表面。此半导体器件可降低电场而提高崩溃电压。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及一种半导体
，特别是有关于一种具有高崩溃电压的半导体器件。
技术介绍
由于半导体组件集积微小化，金氧半场效晶体管(MOSFET)的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而所有的功率组件都是垂直式的结构，让组件可以同时承受高电压与高电流的操作环境。漏极(Drain)到衬底的PN接面会因施加在漏极的电压太大而产生垒增崩溃(avalanchebreakdown)效应。对于短信道的组件，会因漏极的电压稍微增加一点，漏极的电流就骤增非常大；而漏极的电压太大时，漏极附近的空乏区会到达源极(Source)而产生击穿(punch-through)效应。另外，由于金氧半场效晶体管中的二次效应，栅极(Gate)对源极的电压太大，氧化层的电场变得非常大，氧化层会发生崩溃，可能导致组件烧毁。而在漏极端操作高电压(VDD)的时候，来自漏极端的电力线(electricalline)会增强，通常栅极靠漏极端的电场(electricalfield)会提高，增加电流崩溃的可能。因此现今越来越需要改良的金氧半场效晶体管结构，以降低电场而提高崩溃本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n外延层，设置于所述衬底上，所述外延层具有源极区、漏极区及设置于所述源极区与所述漏极区之间的沟槽；/n源极，设置于所述外延层上且对应所述源极区的位置；/n漏极，设置于所述外延层上且对应所述漏极区的位置；以及/n栅极，设置于所述源极与所述漏极之间且设置在所述外延层的所述沟槽并突出于所述外延层的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
外延层，设置于所述衬底上，所述外延层具有源极区、漏极区及设置于所述源极区与所述漏极区之间的沟槽；
源极，设置于所述外延层上且对应所述源极区的位置；
漏极，设置于所述外延层上且对应所述漏极区的位置；以及
栅极，设置于所述源极与所述漏极之间且设置在所述外延层的所述沟槽并突出于所述外延层的表面。


2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的深度为10nm～500nm。


3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的宽度为0.5μm～2μm。


4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的底部设置厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊鹏，
申请(专利权)人：吴俊鹏，陈纪宇，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71