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一种半导体器件，包括衬底、外延层、源极、漏极及栅极。外延层设置于衬底上，外延层具有源极区、漏极区及设置于源极区与漏极区之间的沟槽。源极设置于外延层上且对应源极区的位置。漏极设置于外延层上且对应漏极区的位置。栅极设置于源极与漏极之间且设置在外...
该专利属于吴俊鹏;陈纪宇所有，仅供学习研究参考，未经过吴俊鹏;陈纪宇授权不得商用。

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