半导体装置的制造方法和半导体装置制造方法及图纸

具备对接触部件的拉伸载荷增大的连接端子。在半导体装置的制造方法中，准备具备圆筒状的贯通孔(17b)的接触部件(17)以及呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且截面的对角长度比贯通孔(17b)的内径长的连接端子(19)。然后，在连接端子(19)的角部分别形成具有与贯通孔(17b)的内表面对应的曲率的倒角部(19a2)，向接触部件(17)的贯通孔(17b)压入连接端子(19)。由此，压入到接触部件(17)的连接端子(19)与接触部件(17)的贯通孔(17b)的内周面的接触面积增加。由此，连接端子(19)对接触部件(17)的拉伸载荷增加。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法和半导体装置
本专利技术涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。
技术介绍
半导体装置包括例如IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体元件。这样的半导体装置例如用作电力变换装置。半导体装置具备具有绝缘板和形成于绝缘板的正面的多个电路图案的基板。另外，在电路图案上配置有半导体元件和连接端子，从连接端子施加的信号经由电路图案被输入到半导体元件。在将该连接端子安装到电路图案时，使用筒状的接触部件。连接端子构成为其直径比接触部件的直径大。这样的连接端子被压入到介由焊料接合到电路图案上的接触部件，经由接触部件而电连接到电路图案(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2009/0194884号说明书
技术实现思路
技术问题在上述半导体装置中，如果对接触部件压入例如棱柱状的连接端子，则连接端子在连接端子的角部与接触部件的内周面接触的状态下保持在接触部件内。即，由于连接端子与接触部件内接触的部分仅限于角部，所以容易从接触部件拔出。因此，考虑到增大连接端子的直径而使相对于接触部件的压入尺寸增大。但是，此时，被压入连接端子的接触部件破损的可能性变高，另外，因为连接端子的尺寸增加而引起成本增加。本专利技术是鉴于这种情况而完成的，目的在于提供具备对接触部件的拉伸载荷增大的连接端子的半导体装置的制造方法和半导体装置。技术方案根据本专利技术的一观点，提供一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，准备具备圆筒状的贯通孔的接触部件、以及呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且上述截面的对角长度比上述贯通孔的内径长的连接端子；倒角工序，在上述连接端子的角部分别形成具有与上述贯通孔的内表面对应的曲率的倒角部；以及压入工序，向上述接触部件的上述贯通孔压入上述连接端子。另外，提供通过这种制造方法制造的半导体装置。专利技术效果根据公开的技术，能够使连接端子对接触部件的拉伸载荷增大而抑制半导体装置的可靠性降低。本专利技术的上述和其他目的、特征和优点通过表示作为本专利技术的例子的优选实施方式的附图和关联的以下的说明会变得清楚。附图说明图1是表示实施方式的半导体装置的一个例子的图。图2是实施方式的半导体装置的制造方法的流程图的一个例子。图3是表示实施方式的半导体装置所含有的陶瓷电路基板的图。图4是表示实施方式的半导体装置所含有的接触部件的图。图5是表示实施方式的半导体装置所含有的连接端子的图。图6是表示实施方式的半导体装置的制造方法的倒角工序的图。图7是表示实施方式的半导体装置所含有的形成有倒角部的连接端子的图。图8是表示实施方式的半导体装置的制造方法的压入工序的图。图9是用于说明压入到接触部件的连接端子的图。图10是用于说明压入到接触部件的连接端子的主要部分放大图。图11是表示相对于连接端子的对角长度的倒角宽度和接触率的图表。图12是表示相对于连接端子与接触部件的接触率的连接端子的平均拉伸载荷的图表。符号说明10：半导体装置11：绝缘板12：金属板13、13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13h：电路图案14：陶瓷电路基板15、15a、15b、15c：半导体元件16、16a、16b、16c、16d、16e：焊料17：接触部件17a：主体部17a1：内周面17a2：凹部17a3：外周面17a4：凸部17b：贯通孔17b1、17b2：开口端部17c1、17c2：凸缘18、18a、18b、18c：键合线19：连接端子19a：主体部19a1：角部19a2：倒角部19a21、19a22、19a23：接触部19b、19c：前端部20：散热板21：壳体21a：盖部21b：侧壁部30：按压治具31、32：按压部31a、31b、32a、32b：倾斜面具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。使用图1对实施方式的半导体装置进行说明。图1是表示实施方式的半导体装置的一个例子的图。如图1所示，半导体装置10具有陶瓷电路基板14、以及设置于陶瓷电路基板14的正面的半导体元件15a、15b、15c和接触部件17。另外，在接触部件17分别安装有连接端子19。应予说明，在不特别区分半导体元件15a、15b、15c的情况下，表示为半导体元件15。另外，在陶瓷电路基板14上设置有多个半导体元件15。在图1中，图示其中的半导体元件15a、15b、15c。另外，根据需要可以设置电子部件来代替半导体元件15。应予说明，电子部件例如为电阻器、热敏电阻、电容器、浪涌吸收器等。另外，陶瓷电路基板14具有绝缘板11、形成于绝缘板11的背面的金属板12和形成于绝缘板11的正面的电路图案13b、13e、13h。半导体元件15a、15b、15c介由焊料16a、16a、16c接合到电路图案13e、13h上。另外，接触部件17介由焊料16d、16e接合到电路图案13b、13h上。这样的陶瓷电路基板14的电路图案13b和半导体元件15a的正面的电极以及半导体元件15a、15b的正面的电极间通过键合线18a、18b、18c电连接。应予说明，在不特别区分的情况下，将电路图案13b、13e、13h、焊料16a、16a、16c、键合线18a、18b、18c表示为电路图案13、焊料16、键合线18。另外，在陶瓷电路基板14的背面设置有散热板20。散热板20可以介由未图示的焊料等接合层而接合于陶瓷电路基板14的背面。通过散热板20和壳体21来收纳陶瓷电路基板14、半导体元件15、连接端子19的根部等。其中，连接端子19的前端部从壳体21伸出。另外，也可以不在陶瓷电路基板14的背面设置散热板20。此时，通过陶瓷电路基板14的正面的边缘部和壳体21来收纳半导体元件15、连接端子19的根部等。其中，在此情况下连接端子19的前端部也从壳体21伸出。应予说明，正面是指在半导体装置10中，连接端子19的前端部从壳体21伸出的一侧的面。另外，背面是指正面的相反面，且是在半导体装置10中设置有散热板20的一侧的面。应予说明，关于半导体装置10的各构成的详细情况，将与以下的半导体装置10的制造方法的流程图一起说明。接下来，使用图2对这样的半导体装置10的制造方法的一个例子进行说明。图2是实施方式的半导体装置的制造方法的流程图的一个例子。应予说明，图2所示的工序可以人工执行、机械执行或者利用这两者来执行。[步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：/n准备工序，准备具备圆筒状的贯通孔的接触部件、以及呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且所述截面的对角长度比所述贯通孔的内径长的连接端子；/n倒角工序，在所述连接端子的角部分别形成具有与所述贯通孔的内表面对应的曲率的倒角部；以及/n压入工序，向所述接触部件的所述贯通孔压入所述连接端子。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180619 JP 2018-1156871.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备工序，准备具备圆筒状的贯通孔的接触部件、以及呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且所述截面的对角长度比所述贯通孔的内径长的连接端子；
倒角工序，在所述连接端子的角部分别形成具有与所述贯通孔的内表面对应的曲率的倒角部；以及
压入工序，向所述接触部件的所述贯通孔压入所述连接端子。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述倒角部的曲率为所述贯通孔的内表面的曲率的0.50倍以上且2.0倍以下。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述倒角工序中，分别按压所述连接端子的角部而分别形成所述倒角部。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述连接端子为棱柱状。


5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述倒角工序后的所述连接端子的所述对角长度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山力宏，宫越仁隆，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP