【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，例如有一种半导体装置(参照专利文献1)已被普遍知晓，其为：将半导体元件放置在基板的导体层上，并经由焊锡等导电性接合材料以连接件来接合该半导体元件与引线框，并且该半导体元件与基板被封装树脂封装。在这种以往的半导体装置中，在为了连接引线框与半导体元件(MOSFET或1GBT)而使用焊锡材料等导电性接合材料的情况下，在维持焊锡粒径并减少焊锡量方面存在着限度，并且越缩小焊锡粒径就越增加成本。而且，为了在不减少焊锡量的情况下抑制异电极间的焊锡桥，就必须确保接触于引线框的焊锡材料不会从输入有半导体元件的控制信号的栅极焊盘(端子)的上端面溢出。此外，在考虑到电气性能后，由于必须要减小栅极焊盘的面积且加大源极焊盘的面积，因此引线框与栅极焊盘的接合部就必须尽可能地减小。另外，为了在提高允许电流值的同时减小半导体装置的占有面积，就必须要加厚引线框的厚度。而这种较厚的引线框难以与面积较小的栅极焊盘对应...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n基板，在其上端面设置有第一导电层；/n半导体元件，其配置于所述基板的所述上端面，并且具有：设置在其下端面且被电连接于所述第一导电层的第一端子；以及设置在其上端面且输入有控制用信号的第二端子；/n封装部，封装所述基板以及半导体元件；/n引线框，其一端部在所述封装部内与所述半导体元件的所述第二端子的上端面相接触，其另一端部从所述封装部露出；以及/n控制用导电性接合材料，其将所述半导体元件的所述第二端子的上端面与所述引线框的所述一端部之间接合且具有导电性，/n其中，所述引线框的所述一端部包含：基准部；中间部，其相连于所述基准部且位于比所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
基板，在其上端面设置有第一导电层；
半导体元件，其配置于所述基板的所述上端面，并且具有：设置在其下端面且被电连接于所述第一导电层的第一端子；以及设置在其上端面且输入有控制用信号的第二端子；
封装部，封装所述基板以及半导体元件；
引线框，其一端部在所述封装部内与所述半导体元件的所述第二端子的上端面相接触，其另一端部从所述封装部露出；以及
控制用导电性接合材料，其将所述半导体元件的所述第二端子的上端面与所述引线框的所述一端部之间接合且具有导电性，
其中，所述引线框的所述一端部包含：基准部；中间部，其相连于所述基准部且位于比所述基准部更靠近所述一端部的前端侧；以及倾斜部，其相连于所述中间部且位于所述一端部的前端的同时，具有从所述中间部向下方倾斜的形状，
所述倾斜部以及所述中间部的上下方向的厚度比所述基准部的上下方向的厚度更薄。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二端子的上端面具有长方形的形状，所述倾斜部至少位于所述第二端子的上端面的中心上，并且所述控制用导电性接合材料位于所述倾斜部的下端面与所述第二端子的上端面的所述中心之间，从而将所述倾斜部的下端面与所述第二端子的上端面之间通过所述控制用导电性接合材料来进行接合。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
其中，在从所述第二端子的上端面的中心偏离的所述第二端子的上端面的第一边的附近的区域处，所述倾斜部的前端与所述第二端子的上端面在与所述第一边平行的方向上线接触。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述控制用导电性接合材料被连续设置在：从所述第二端子的上端面中的至少所述倾斜部的前端与所述第二端子相接触的所述第一边的附近的区域处开始，经过所述第二端子的上端面的所述中心后，直至与所述第一边相向的第二边的附近的区域上。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述倾斜部的上下方向的厚度与所述中间部的上下方向的厚度相同。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述倾斜部的宽度比所述基准部的宽度更小。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述中间部被形成为：其宽度从所述基准部朝着所述倾斜部变窄。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述半导体元件是MOSFET，在所述半导体元件中，所述第一端子是漏极端子、所述第二端子是栅极端子、在其上端面设置有面积比所述第二端子更大的作为第三端子的源极端子。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅田宗一郎，久德淳志，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。