【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
以往，例如有一种半导体装置(例如参照专利文献1)已被普遍知晓，其为：将半导体元件放置在基板的导体层上，并经由焊锡等导电性接合材料以连接件来接合该半导体元件与引线框，并且该半导体元件与基板被封装树脂封装。在上述这种以往的半导体装置中，当热应力被施加在该半导体装置时，由于在引线框的接合部产生有应力，从而会导致该接合部的电连接的可靠性降低的问题。先行技术文献专利文献专利文献1：特开2015-12065号公报鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体装置，其在当应力被施加在引线框时，能够缓和在引线框与基板之间的接合部产生的应力，从而抑制该接合部的电连接的可靠性降低的问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一种形态所涉及的实施方式中的半导体装置，其特征在于，包括：基板，在其上端面设置有多个导电层；半导体元件，其配置于所述基板的上端面，并且位于其下端面侧的第一端子电连接于设置在所述基板的上端面的第一导电层...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n基板，在其上端面设置有多个导电层；/n半导体元件，其配置于所述基板的上端面，并且位于其下端面侧的第一端子电连接于设置在所述基板的上端面的第一导电层；/n封装部，封装所述基板以及半导体元件；/n第一引线框，其一端部在向所述封装部内的所述基板的所述上端面的边方向延伸的端部处与所述第一导电层的上端面接触，其另一端部从所述封装部露出；以及/n第一导电性接合材料，其在所述基板的所述端部处将所述第一导电层的上端面与所述第一引线框的所述一端部的下端面侧之间接合且具有导电性，/n其中，所述第一引线框的所述一端部具有：第一拱形部，其被设置为沿着基准方...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
基板，在其上端面设置有多个导电层；
半导体元件，其配置于所述基板的上端面，并且位于其下端面侧的第一端子电连接于设置在所述基板的上端面的第一导电层；
封装部，封装所述基板以及半导体元件；
第一引线框，其一端部在向所述封装部内的所述基板的所述上端面的边方向延伸的端部处与所述第一导电层的上端面接触，其另一端部从所述封装部露出；以及
第一导电性接合材料，其在所述基板的所述端部处将所述第一导电层的上端面与所述第一引线框的所述一端部的下端面侧之间接合且具有导电性，
其中，所述第一引线框的所述一端部具有：第一拱形部，其被设置为沿着基准方向向上方突出；以及第一折弯部，其相连于所述第一拱形部且位于比所述第一拱形部更靠近前端侧，并且被折弯成沿着所述基准方向向下方突出。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第一折弯部的下端面侧与所述第一导电层的上端面沿着所述基准方向线接触。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第一导电性接合材料被沿着所述第一引线框的所述第一折弯部与所述第一导电层的上端面线接触的所述基准方向配置，并且在所述基板的所述端部处将所述第一导电层的上端面与所述第一折弯部的下端面侧之间接合。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
其中，在所述第一引线框的所述第一折弯部中的与所述第一导电层线接触的部分的位于所述基准方向的两侧的侧面，形成有向所述基准方向凹陷的缺口部，
所述第一导电性接合材料的一部分被填入于所述缺口部内，并将所述第一导电层的上端面与所述第一折弯部的所述缺口部之间接合。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第一引线框被配置为：
使得所述基板的所述端部所延伸的所述边方向和所述第一折弯部的线接触的区域所延伸的所述基准方向成为相互平行。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第一引线框具有主体部，该主体部位于所述一端部与所述另一端部之间且被封装在所述封装部内，所述第一拱形部的上端面的位置比所述主体部的上端面的位置更高。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：
其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅田宗一郎，石岡岳规，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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