【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体封装的结构和方法
本公开涉及一种用于半导体封装的方法和结构。
技术介绍
随着电子设备的日益普及和功能的发展，例如晶体管和集成电路(IC)之类的半导体装置的大小和成本正在降低。随着半导体装置大小的减小、功率和电流密度增加，这可能导致高温和过早的封装故障。随着裸片收缩，封装中的电流密度增加。裸片大小的减小可能导致与裸片封装相关的问题，例如电迁移和导线断裂。
技术实现思路
至少一个半导体封装结构包含：裸片，所述裸片包含接合焊盘；设置在所述裸片上的第一金属层结构，所述第一金属层结构具有第一宽度，所述第一金属层结构包含第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述接合焊盘。所述半导体封装结构还包含：第一光敏材料，所述第一光敏材料围绕所述第一金属层结构的侧面；以及设置在所述第一金属层结构上方和所述第一光敏材料的一部分上方的第二金属层结构，所述第二金属层结构电耦合到所述第一金属层结构，所述第二金属层结构具有第二宽度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。另外，所述半导体封装结构包含第二光敏材料，所述第二光敏材料围绕所述第...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其包括：/n裸片，所述裸片包括接合焊盘；/n设置在所述裸片上的第一金属层结构，所述第一金属层结构具有第一宽度，所述第一金属层结构包括第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述接合焊盘；/n第一光敏材料，所述第一光敏材料围绕所述第一金属层结构的侧面；/n设置在所述第一金属层结构上方和所述第一光敏材料的一部分上方的第二金属层结构，所述第二金属层结构电耦合到所述第一金属层结构，所述第二金属层结构具有第二宽度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度；以及/n第二光敏材料，所述第二光敏材料围绕所述第二金属层结构的侧面。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171005 US 62/568,340;20171005 US 62/568,343;20181.一种半导体封装结构，其包括：
裸片，所述裸片包括接合焊盘；
设置在所述裸片上的第一金属层结构，所述第一金属层结构具有第一宽度，所述第一金属层结构包括第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述接合焊盘；
第一光敏材料，所述第一光敏材料围绕所述第一金属层结构的侧面；
设置在所述第一金属层结构上方和所述第一光敏材料的一部分上方的第二金属层结构，所述第二金属层结构电耦合到所述第一金属层结构，所述第二金属层结构具有第二宽度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度；以及
第二光敏材料，所述第二光敏材料围绕所述第二金属层结构的侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一光敏材料是永久性光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一金属层结构包括在所述第一金属层与所述第一光敏材料之间的第一晶种层，其中所述第二金属层结构包括第二金属层和设置在所述第二金属层与所述第二光敏材料之间的第二晶种层。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，还包括设置在所述第二金属层上方的板层，其中所述板层和所述第二晶种层完全包围所述第二金属层。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一金属层具有3μm与100μm之间的厚度，并且所述第一金属层具有20μm与200μm之间的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二金属层结构具有25μm与300μm之间的厚度，并且所述第二金属层结构具有大于150μm的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一金属层具有矩形、正方形、圆形或椭圆形的横截面，并且其中所述第二金属层结构具有矩形、圆形、椭圆形、多边形或带有圆角的多边形的横截面。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述接合焊盘是第一接合焊盘，并且其中所述第一金属层结构将所述第二金属层结构电耦合到所述裸片的第二接合焊盘。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一金属层具有与所述第二金属层结构接触的顶部宽度和与所述接合焊盘接触的底部宽度，并且其中所述顶部宽度大于所述底部宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述接合焊盘设置在所述裸片的第一侧上，其中所述半导体封装结构进一步包括设置在所述裸片的第二侧上的背面涂层，所述裸片的所述第二侧与所述裸片的所述第一侧相对。
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述背面涂层是黑色膜。
12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述半导体封装结构不包含焊料。
13.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一金属层包括铜或导电金属的合金，并且所述第二金属层结构包括铜或导电金属的合金。
14.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括：
第三金属层结构，所述第三金属层结构设置在所述第二金属层结构上方以及所述
第二光敏材料的至少一部分上方；以及
第三光敏材料，所述第三光敏材料围绕所述第三金属层结构的侧面。
15.根据权利要求14所述的半导体封装结构，其中所述第三金属层结构具有第三宽度，并且其中所述第三宽度大于所述第二宽度。
16.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二金属层结构具有平面化表面，所述半导体封装结构进一步包括：
设置在所述第二金属层结构的所述平面化表面上的板层，其中所述板层的至少一部分在所述第二光敏材料的顶表面上方延伸。
17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其中所述第一金属层具有3μm与100μm之间的厚度，并且所述第一金属层具有25μm与200μm之间的宽度。
18.根据权利要求17所述的半导体封装结构，其中所述第二金属层结构具有25μm与300μm之间的厚度，并且所述第二金属层结构具有大于150μm的宽度。
19.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其中所述板层具有2μm与8μm之间的厚度。
20.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其中所述第一金属层结构进一步包括在所述第一金属层与所述第一光敏材料之间的第一晶种层，所述第二金属层结构包括第二金属层和在所述第二金属层与所述第二光敏材料之间的第二晶种层。
21.根据权利要求20所述的半导体封装结构，其中所述第一晶种层、所述第二晶种层和所述板层包围所述第一金属层和所述第二金属层。
22.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其中所述板层包括Ni、NiAu、NiPd、NiPdAu、NiAg、Sn、NiSn、化学镍浸金ENIG、化学镍化学金ENEG或化学镍化学钯浸金ENEPIG。
23.一种半导体封装结构，其包括：
裸片，所述裸片包括接合焊盘；
模塑料，所述模塑料至少部分地包围裸片；
设置在所述裸片上的第一金属层结构，所述第一金属层结构包括第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述接合焊盘；
第一绝缘材料，所述第一绝缘材料围绕所述第一金属层结构的侧面；
设置在所述第一金属层结构上方和所述第一绝缘材料的一部分上方的第二金属层结构，所述第二金属层结构电耦合到所述第一金属层结构，其中所述第二金属层结构的至少一部分延伸超过所述裸片的在所述模塑料上方的边缘；以及
第二绝缘材料，所述第二绝缘材料围绕所述第二金属层结构的侧面。
24.根据权利要求23所述的半导体封装结构，其中所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料由光敏材料构成。
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【专利技术属性】
技术研发人员：斯里尼瓦萨恩·K·科杜里，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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