【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，该装置包括：超临界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室（４）和温度控制室（５）组成；高压反应室（４）用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室，与二氧化碳气瓶相连，且高压反应室（４）的外壁上安装有半导体制冷环（２０１）；温度控制室（５）通过蒸发器盘管与高压反应室（４）相连，实现高压反应室（４）的制冷和加热；分离减压室（６），通过管道与高压反应室（４）相连，用于减压后将醇类和二氧化碳分离；所述超临界干燥室与分离减压室（６）通过支座台（２）固定连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘茂哲，景玉鹏，陈大鹏，欧毅，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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