【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子技术中的微机电系统(MEMS)关键制造技术的牺 牲层释放
，尤其涉及一种氟利昂制冷的二氧化碳超临界干燥装 置，利用液体二氧化碳进入超临界状态时，二氧化碳变成一种似液似气的 没有表面张力进入超临界状态的特点，解决湿法工艺干燥时出现的粘连问 题。
技术介绍
微机电系统(MEMS)制造技术中，硅基表面微机械加工技术是一个 重要组成部分，避免了纵向的体硅深加工，与集成电路工艺有更好的兼容 性，有利于结构性器件和处理电路的集成。在硅基表面微机械加工过程中，要运用到"牺牲层"技术来制造悬空的 梁、膜或空腔结构。牺牲层释放过程中或牺牲层形成之后，多数情况下液 体挥发产生表面张力引起结构层下拉，该现象称为粘连现象，二氧化碳超 临界干燥器是解决微细加工中干燥时粘连最好的方法。超临界状态下微细结构之间的液体就变成了一种没有表面张力的液 体(也可称作气体)，此时再进行干燥加热或减压汽化，就不会发生液体 缓慢蒸发汽化时表面张力造成的粘连现象。本设备基于此原理的效果要明显强于冻结干燥法和有机置换等其他方法。二氧化碳超临界千燥器现在在日美MEMS科研中大量使用。但...
【技术保护点】
一种二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，该装置包括：超临界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室（４）和温度控制室（５）组成；高压反应室（４）用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室，与二氧化碳气瓶相连；温度控制室（５）通过盘管与高压反应室（４）相连，实现高压反应室（４）的制冷和加热；分离减压室（６），通过管道与高压反应室（４）相连，用于将醇类和二氧化碳分离，并实现减压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李全宝，景玉鹏，陈大鹏，欧毅，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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