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本发明涉及微电子技术中的微机电系统关键制造技术的牺牲层释放技术领域，公开了一种二氧化碳超临界干燥装置，该装置包括：超临界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室４和温度控制室５组成；高压反应室４用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置换和气化干燥的反...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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