一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路技术

本发明专利技术公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson参数测试；本发明专利技术还相应的公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson参数的测量精度，有效降低了测试误差。

A test method and circuit of MOSFET wafer near particles

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路
本专利技术涉及分立器件测试
，尤其是一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路。
技术介绍
在MOSFET的漏极测量端是接在载物台上的，即使载物台的内阻很低，误差可忽略，漏极衬底电流路径上的等效电阻会累加到被测器件Rdson(导通电阻)的数值上，使得漏极回路不再是标准的Kelvin连接，这样就造成了大量的测量误差。这种测量误差是不稳定的，当被测颗粒的底部接触较好时，误差很小，当被测颗粒底部及附近的颗粒接触都不好时，误差就比较大。为了降低误差，就需使晶圆与CHUNK台贴合的尽量紧密，中间的空隙尽量少。这样可以减小共漏极测量端到被测器件的路径长度，减小非Kelvin连接部分的电阻。当漏极引起的附加电阻远小于Rdson(导通电阻)时，测试结果就是可信的。这种测试方法对载物台的平整度和表面接触电阻提出了很高的要求。目前的测试方案，绝大多是通过向载片台镀厚金层来提升载片台的平整度，减弱接触不均匀造成的影响，但是这样探针台的成本被大大提升，因此产生了标准临近颗粒法，但是传统的临近本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，用于测试MOSFET晶圆的Rdson（导通电阻）测试参数，其测试方法包括以下步骤：/nS101：通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；/nS102：通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；/nS103：测试Rdson（导通电阻），选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；/nS104：将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；/nS105：将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行参数Rdson（导通电阻）测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，用于测试MOSFET晶圆的Rdson（导通电阻）测试参数，其测试方法包括以下步骤：
S101：通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；
S102：通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；
S103：测试Rdson（导通电阻），选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；
S104：将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；
S105：将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行参数Rdson（导通电阻）测试。


2.根据权利要求1所述的MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王煜，
申请(专利权)人：陕西三海测试技术开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61