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本发明公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，...
该专利属于陕西三海测试技术开发有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西三海测试技术开发有限责任公司授权不得商用。

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