半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

即使当焊盘小型化时，本发明专利技术也能提高焊接强度。该半导体装置设置有焊盘、扩散层和熔融层。设置在所述半导体装置中的所述焊盘在其所述表面中包括凹部，并经过焊接。设置在所述半导体装置中的所述扩散层由布置在所述凹部中并当进行焊接时扩散到所述焊料中并保留在所述焊盘的表面上的金属制成。设置在所述半导体装置中的所述熔融层由与所述扩散层相邻布置并当进行焊接时扩散到所述焊料中并熔融的金属制成。

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和半导体装置的制造方法
本技术涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。更具体地，本技术涉及一种包括进行焊料连接的焊盘的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在现有技术中，使用了其中层叠并安装有多个半导体芯片的半导体装置。例如，使用其中第二半导体芯片安装在第一半导体芯片上的半导体装置。在该半导体装置中，第一半导体芯片与第二半导体芯片通过锡(Sn)基焊料电连接。在第二半导体芯片的背面上由焊料形成微凸块。另一方面，在第一半导体芯片的表面上形成与第二半导体芯片的微凸块配合的凹形凸块焊盘。在凸块焊盘的底部布置有金属，其中第一金属层(阻挡金属)、由钴(Co)构成的第二金属层和由铜(Cu)构成的第三金属层依次层叠在由铝(Al)构成的焊盘上。在将第一和第二半导体芯片对准在微凸块与凸块焊盘相对的位置的同时，通过进行回流焊接，将微凸块与布置在凸块焊盘处的金属接合。由此，将第二半导体芯片安装在第一半导体芯片上(例如，参照专利文献1)。引用列表专利文献专利文献1：日本专利申请公开第2017-079281号专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n焊盘，所述焊盘在表面上包括凹部，并且进行焊料连接；/n扩散层，所述扩散层布置在所述凹部处并由在所述焊料连接时在扩散到焊料中的同时保留在所述焊盘的表面上的金属构成；和/n熔融层，所述熔融层与所述扩散层相邻布置并且由在所述焊料连接时扩散并熔融到所述焊料中的金属构成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171128 JP 2017-2274141.一种半导体装置，包括：
焊盘，所述焊盘在表面上包括凹部，并且进行焊料连接；
扩散层，所述扩散层布置在所述凹部处并由在所述焊料连接时在扩散到焊料中的同时保留在所述焊盘的表面上的金属构成；和
熔融层，所述熔融层与所述扩散层相邻布置并且由在所述焊料连接时扩散并熔融到所述焊料中的金属构成。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步地包括：
防扩散层，所述防扩散层布置在所述焊盘和所述扩散层之间并且由在所述焊料连接时防止所述焊盘扩散到所述焊料中的金属构成，
其中在所述焊料连接时，所述扩散层保留在所述防扩散层的表面上。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊盘包括形成为线状的多个所述凹部。

【专利技术属性】
技术研发人员：中村卓矢，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP