【技术实现步骤摘要】
封装方法
本申请涉及半导体封装
,特别是涉及一种封装方法。
技术介绍
在芯片上制备凸块的流程中,由于外露焊盘的材料一般为铝,在空气中铝表层极易被氧化成氧化铝,因此在焊盘上形成凸块之前,为了保证后续凸块与焊盘之间的结合力,必须对外露的焊盘进行等离子物理撞击处理,以去除焊盘上的氧化物。而对于设有敏感元器件的芯片而言,进行等离子物理撞击处理会造成敏感元器件的损伤,甚至会导致其失效。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种封装方法,能够保护敏感元器件,避免对敏感元器件造成损伤。为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种封装方法,包括:提供晶圆,所述晶圆包括晶圆本体、设置在所述晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件;形成覆盖所述敏感元器件的保护层;在裸露的所述焊盘上形成与所述焊盘电连接的金属凸柱;去除所述保护层。其中,所述形成覆盖所述敏感元器件的保护层的步骤,包括:在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧形成覆盖所述晶圆本体的金属层;在所述金属层远 ...
【技术保护点】
1.一种封装方法,其特征在于,所述方法包括:/n提供晶圆,所述晶圆包括晶圆本体、设置在所述晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件;/n形成覆盖所述敏感元器件的保护层;/n在裸露的所述焊盘上形成与所述焊盘电连接的金属凸柱;/n去除所述保护层。/n
【技术特征摘要】
1.一种封装方法,其特征在于,所述方法包括:
提供晶圆,所述晶圆包括晶圆本体、设置在所述晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件;
形成覆盖所述敏感元器件的保护层;
在裸露的所述焊盘上形成与所述焊盘电连接的金属凸柱;
去除所述保护层。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述形成覆盖所述敏感元器件的保护层的步骤,包括:
在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧形成覆盖所述晶圆本体的金属层;
在所述金属层远离所述晶圆本体的一侧涂布覆盖所述金属层的光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光、显影,以去除非所述敏感元器件上方的所述光刻胶;
去除裸露的所述金属层;
去除剩余的所述光刻胶而得到覆盖所述敏感元器件的所述保护层。
3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧形成覆盖所述晶圆本体的金属层的步骤,包括:
利用溅射机在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧溅射一层所述金属层。
4.根据权利要求3所述的封装方法,其特征在于,在所述利用溅射机在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧溅射一层所述金属层的步骤之前,还包括:
若所述溅射机设有等离子风机,则关闭所述溅射机的所述等离...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙彬,
申请(专利权)人:厦门通富微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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