封装方法技术

本申请公开了一种封装方法，该方法包括：提供晶圆，晶圆包括晶圆本体、设置在晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件；形成覆盖敏感元器件的保护层；在裸露的焊盘上形成与焊盘电连接的金属凸柱；去除保护层。本申请所提供的封装方法能够在制备金属凸柱的过程中保护敏感元器件，避免对敏感元器件造成损伤。

Encapsulation method

【技术实现步骤摘要】
封装方法
本申请涉及半导体封装
，特别是涉及一种封装方法。
技术介绍
在芯片上制备凸块的流程中，由于外露焊盘的材料一般为铝，在空气中铝表层极易被氧化成氧化铝，因此在焊盘上形成凸块之前，为了保证后续凸块与焊盘之间的结合力，必须对外露的焊盘进行等离子物理撞击处理，以去除焊盘上的氧化物。而对于设有敏感元器件的芯片而言，进行等离子物理撞击处理会造成敏感元器件的损伤，甚至会导致其失效。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种封装方法，能够保护敏感元器件，避免对敏感元器件造成损伤。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种封装方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括晶圆本体、设置在所述晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件；形成覆盖所述敏感元器件的保护层；在裸露的所述焊盘上形成与所述焊盘电连接的金属凸柱；去除所述保护层。其中，所述形成覆盖所述敏感元器件的保护层的步骤，包括：在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧形成覆盖所述晶圆本体的金属层；在所述金属层远离所述晶圆本体的一侧涂布覆盖所述金属层的光刻胶；对所述光刻胶进行曝光、显影，以去除非所述敏感元器件上方的所述光刻胶；去除裸露的所述金属层；去除剩余的所述光刻胶而得到覆盖所述敏感元器件的所述保护层。其中，所述在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧形成覆盖所述晶圆本体的金属层的步骤，包括：利用溅射机在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧溅射一层所述金属层。其中，在所述利用溅射机在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧溅射一层所述金属层的步骤之前，还包括：若所述溅射机设有等离子风机，则关闭所述溅射机的所述等离子风机。其中，所述在裸露的所述焊盘上形成与所述焊盘电连接的金属凸柱的步骤，包括：对裸露的所述焊盘进行等离子物理轰击处理；形成至少覆盖裸露的所述焊盘的种子层；在所述种子层远离所述晶圆的一侧涂布覆盖所述晶圆的光刻胶；对所述光刻胶进行曝光、显影，以裸露设置在所述焊盘上方的所述种子层；在裸露的所述种子层上形成所述金属凸柱；去除剩余的所述光刻胶；去除裸露的所述种子层。其中，所述种子层包括覆盖所述晶圆的第一子种子层，所述第一子种子层的材料与所述金属凸柱的材料相同。其中，所述种子层进一步包括设置在所述第一子种子层与所述晶圆之间且至少覆盖裸露的所述焊盘的第二子种子层。其中，所述第二子种子层的材料与所述保护层的材料相同。其中，所述第一子种子层的材料为金或铜，和/或，所述第二子种子层的材料为钛或钛钨。其中，所述保护层的厚度范围为150nm～250nm。本申请的有益效果是：本申请的封装方法在焊盘上形成金属凸柱之前，在敏感元器件上形成保护层，从而后续在形成金属凸柱的过程中，敏感元器件由于保护层的保护，其不会受到外力冲击，因此可以避免发生损伤，同时由于保护层可以去除，因此也可以避免敏感元器件上存在残留。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1是本申请封装方法一实施方式的流程示意图；图2是图1封装方法对应的结构流程图；图3是图1中步骤S120的流程示意图；图4是图3对应的结构流程图；图5是图4的后续图；图6是图1中步骤S130的流程示意图；图7是图6在一应用场景中对应的结构流程图；图8是图7的后续图；图9是图6在另一应用场景中对应的结构流程图；图10是图9的后续图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。参阅图1和图2，图1是本申请封装方法一实施方式的流程示意图，图2是图1封装方法对应的结构流程图。在本实施方式中，封装方法包括：S110：提供晶圆100，晶圆100包括晶圆本体110、设置在晶圆本体110同一侧且均裸露的焊盘120以及敏感元器件130。晶圆本体110中设有线路，能够满足各种需求，是晶圆100实现功能的关键。裸露的焊盘120用于将晶圆本体110中的线路和外界实现电连接，其是晶圆100的功能输出端子。敏感元器件130可以是光感类、热敏类等器件，其在受到外界影响时，容易发生损伤，甚至失效。在一应用场景中，为了保护设置在晶圆本体110中的线路，晶圆本体110上还设有钝化层140，钝化层140设置在晶圆本体110设置有焊盘120以及敏感元器件130的一侧且裸露出焊盘120的至少部分以及敏感元器件130。其中，钝化层140的材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺等介电材料或者它们的混合物。S120：形成覆盖敏感元器件130的保护层200。保护层200覆盖敏感元器件130，以避免在后续的制程中敏感元器件130受到外界的损伤。在一应用场景中，保护层200的厚度范围为150nm～250nm，例如，保护层200的厚度范围为150nm、190nm、230nm或者250nm。S130：在裸露的焊盘120上形成与焊盘120电连接的金属凸柱300。金属凸柱300与焊盘120电连接，用于将最终封装形成的芯片与例如线路板等其他元件焊接。其中，金属凸柱300可以通过电镀的方式形成，或者也可以通过先印刷焊料膏或者先植入焊料球，再回流的方式形成，本申请金属凸块300的形成方式不做限制。S140：去除保护层200。在去除保护层200后，敏感元器件130的表面不会存在任何残留，其中，可以采用化学方式(例如溶剂腐蚀)或者物理方式(例如激光切割)去除保护层200。在上述实施方式中，在焊盘120上形成金属凸柱300之前，在敏感元器件130上形成保护层200，从而后续在形成金属凸柱300的过程中，敏感元器件130由于保护层200的保护，其不会受到外力冲击，因此可以避免发生损伤，同时由于保护层200的去除，敏感元器件130的表面不会存在任何残留，达到有效保护敏感元器件130的目的。参阅图3和图4，在本实施方式中，步骤S120形成覆盖敏感元器件130的保护层200具体包括：S121：在晶圆本体110设有焊盘120以及敏感元器件130的一侧形成覆盖晶圆本体110的金属层210。在一应用场景中，利用溅射机在晶圆本体110设有焊盘120以及敏感元器件130的一侧溅射一层金属层210，也就是说，采用溅射工艺形成金属层210。此时在形成金属层210之前，不会对裸露的焊盘120进行等离子物理轰击处理，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供晶圆，所述晶圆包括晶圆本体、设置在所述晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件；/n形成覆盖所述敏感元器件的保护层；/n在裸露的所述焊盘上形成与所述焊盘电连接的金属凸柱；/n去除所述保护层。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
提供晶圆，所述晶圆包括晶圆本体、设置在所述晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件；
形成覆盖所述敏感元器件的保护层；
在裸露的所述焊盘上形成与所述焊盘电连接的金属凸柱；
去除所述保护层。


2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述形成覆盖所述敏感元器件的保护层的步骤，包括：
在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧形成覆盖所述晶圆本体的金属层；
在所述金属层远离所述晶圆本体的一侧涂布覆盖所述金属层的光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光、显影，以去除非所述敏感元器件上方的所述光刻胶；
去除裸露的所述金属层；
去除剩余的所述光刻胶而得到覆盖所述敏感元器件的所述保护层。


3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧形成覆盖所述晶圆本体的金属层的步骤，包括：
利用溅射机在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧溅射一层所述金属层。


4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，在所述利用溅射机在所述晶圆本体设有所述焊盘以及所述敏感元器件的一侧溅射一层所述金属层的步骤之前，还包括：
若所述溅射机设有等离子风机，则关闭所述溅射机的所述等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙彬，
申请(专利权)人：厦门通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35