半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体装置及其制造方法，该方法包含在衬底上方形成迭层，其中迭层包含通道层和阻障层，且阻障层位于通道层上方；在迭层上方形成源极电极和漏极电极；在迭层上方形成介电层，且介电层覆盖源极电极和漏极电极；在介电层上形成光阻图案，其中光阻图案具有开口；经由光阻图案的开口刻蚀介电层，以形成通孔穿过介电层；在光阻图案上形成栅极电极材料，其中栅极材料的一部分经由光阻图案的开口和通孔形成栅极电极于迭层上，且栅极电极位于源极电极和漏极电极之间；移除光阻图案；以及在介电层上形成场板，其中场板的一部分位于通孔内且覆盖栅极电极。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术实施例是关于半导体制造技术，特别是有关于具有场板(fieldplate)的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体装置已经广泛地用于各种电子产品，例如个人电脑、移动电话、数字相机及其他电子设备。半导体装置的演进正持续影响及改善人类的生活方式。在诸多类型的半导体装置中，高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor，HEMT)因具有低导通电阻、高切换频率、高击穿电压和高温操作等优点，为目前高功率元件或模块产业的发展重点之一。然而，现有的高电子迁移率晶体管及其形成方法仍存在一些缺点(例如电流坍塌)而非在各方面皆令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供半导体装置的制造方法。此方法包含在衬底上方形成迭层，其中迭层包含通道层和阻障层，且阻障层位于通道层上方；在迭层上方形成源极电极和漏极电极；在迭层上方形成介电层，且介电层覆盖源极电极和漏极电极；在介电层上形成光阻图案，其中光阻图案具有开口；经由光阻图案的开口刻蚀介电层，以形成通孔穿过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：/n在一衬底上方形成一迭层，其中该迭层包括一通道层和一阻障层，且该阻障层位于该通道层上方；/n在该迭层上方形成一源极电极和一漏极电极；/n在该迭层上方形成一介电层，且该介电层覆盖该源极电极和该漏极电极；/n在该介电层上形成一光阻图案，其中该光阻图案具有一开口；/n经由该光阻图案的该开口刻蚀该介电层，以形成一通孔穿过该介电层；/n在该光阻图案上形成一栅极材料，其中该栅极材料的一部分经由该光阻图案的该开口和该通孔形成一栅极电极于该迭层上，且该栅极电极位于该源极电极和该漏极电极之间；/n移除该光阻图案；以及/n在该介电层上形成一场板，其中该场板的一部分...

【技术特征摘要】
20181211 TW 1071444221.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
在一衬底上方形成一迭层，其中该迭层包括一通道层和一阻障层，且该阻障层位于该通道层上方；
在该迭层上方形成一源极电极和一漏极电极；
在该迭层上方形成一介电层，且该介电层覆盖该源极电极和该漏极电极；
在该介电层上形成一光阻图案，其中该光阻图案具有一开口；
经由该光阻图案的该开口刻蚀该介电层，以形成一通孔穿过该介电层；
在该光阻图案上形成一栅极材料，其中该栅极材料的一部分经由该光阻图案的该开口和该通孔形成一栅极电极于该迭层上，且该栅极电极位于该源极电极和该漏极电极之间；
移除该光阻图案；以及
在该介电层上形成一场板，其中该场板的一部分位于该通孔内且覆盖该栅极电极且该场板的厚度大于该栅极电极的厚度。


2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该通孔上宽下窄。


3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成该栅极电极之后，该栅极电极和该介电层之间形成一间隙。


4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该场板的该部分延伸并填入该间隙内。


5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该通孔的形成包括湿式刻蚀工艺。


6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该光阻图案的移除包括剥离工艺。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄尧峰，温文莹，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71