一种扇出型封装方法及扇出型封装器件技术

本申请提供了一种扇出型封装方法及扇出型封装器件，所述封装方法包括：将金属柱的一端贴附于载盘上，其中，所述金属柱位于芯片的功能面上，且与所述芯片的所述功能面上的焊盘电连接；在所述芯片的所述功能面与所述载盘之间形成底填胶，所述底填胶覆盖所述金属柱；在所述载盘设置有所述芯片一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片以及所述底填胶；去除所述载盘。通过上述方式，本申请能够利用底填胶固定芯片，进而降低芯片在压合成型过程中发生偏移和飞偏的概率。

A fan out packaging method and fan out packaging device

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型封装方法及扇出型封装器件
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种扇出型封装方法及扇出型封装器件。
技术介绍
现有的形成六面保护的扇出型封装方法包括：利用晶粒黏合工艺将多个芯片的非功能面黏贴到载盘上；通过制模复合物密封载盘，将其压合成型，以形成五面保护的扇出型封装器件；将载盘去除，利用胶膜黏贴芯片的非功能面，以形成六面保护的扇出型封装器件。本申请的专利技术人在长期研究过程中发现，上述压合成型过程中会出现芯片偏移和飞偏等问题。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种扇出型封装方法及扇出型封装器件，能够利用底填胶固定芯片，进而降低芯片在压合成型过程中发生偏移和飞偏的概率。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种扇出型封装方法，所述封装方法包括：将金属柱的一端贴附于载盘上，其中，所述金属柱位于芯片的功能面上，且与所述芯片的所述功能面上的焊盘电连接；在所述芯片的所述功能面与所述载盘之间形成底填胶，所述底填胶覆盖所述金属柱；在所述载盘设置有所述芯片一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片以及所述底填胶；去除所述载盘。其中，在所述载盘至所述芯片的所述功能面方向上，所述底填胶的竖截面为梯形。其中，所述在所述芯片的所述功能面与所述载盘之间形成底填胶，包括：在所述芯片的所述功能面的边缘与所述载盘之间形成围坝，所述金属柱位于所述围坝围设的区域内；在所述围坝围设的区域内形成所述底填胶。其中，所述底填胶与所述围坝的材质相同。其中，所述将金属柱的一端贴附于载盘上之前，所述封装方法包括：提供圆片，所述圆片设有若干矩阵排列的芯片，所述芯片之间设有划片槽，所述圆片包括正面及背面，所述芯片的所述焊盘位于所述正面；在所述圆片的所述正面形成第一再布线层，所述第一再布线层与位于所述正面的所述焊盘电连接；在所述第一再布线层远离所述圆片一侧形成所述金属柱，所述金属柱与所述第一再布线层电连接；沿所述划片槽进行切割，以获得单颗所述芯片。其中，所述去除所述载盘之后，所述封装方法还包括：在所述塑封层和所述底填胶靠近所述功能面的一侧表面上形成第二再布线层，所述第二再布线层与所述金属柱从所述底填胶中露出的部分电连接。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种扇出型封装器件，所述封装器件包括：芯片，包括相对设置的功能面和非功能面，所述功能面上设置有焊盘；金属柱，对应设置于所述焊盘位置处，且与所述焊盘电连接；底填胶，覆盖所述功能面以及所述金属柱；塑封层，覆盖所述芯片的所述非功能面、所述芯片的与所述非功能面相邻的侧面、以及所述底填胶的侧面，且所述金属柱、所述塑封层与所述底填胶在远离所述非功能面一侧齐平。其中，所述封装器件还包括：围坝，位于所述底填胶的侧面以及所述塑封层之间。其中，所述围坝与所述底填胶的材质相同。其中，所述封装器件还包括：第一再布线层，位于所述焊盘与所述金属柱之间，且与所述焊盘和所述金属柱电连接；第二再布线层，位于所述塑封层和所述底填胶靠近所述功能面的一侧表面上，且与所述金属柱从所述底填胶中露出的区域电连接。区别于现有技术，本申请所提供的扇出型封装方法中是将芯片的功能面一侧朝向载盘，且在芯片的功能面与载盘之间设置有底填胶，所形成的塑封层可以覆盖芯片以及底填胶。本申请的有益效果是：本申请利用底填胶固定芯片，以使得芯片在后续压合成型形成塑封层时降低被模流的外力影响导致芯片偏移与飞偏的概率；且本申请所提供的六面保护工艺中芯片的非功能面一侧被塑封层覆盖，不需要传统的贴附于芯片的非功能面一侧的胶膜，且由于胶膜的价格较为昂贵，采用本申请所提供的封装方法可以大量减少产品成本。此外，本申请所提供的扇出型封装方法能够广泛应用到半导体封装行业，大大提高了芯片的结构稳定性和封装产品的品质,也是全球封装厂另辟创新的全新六面保护封装技术。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1为本申请扇出型封装方法一实施方式的流程示意图；图2为图1中步骤S101之前本申请扇出型封装方法一实施方式的流程示意图；图3为圆片一实施方式的结构示意图；图4a为图3中圆片一实施方式的剖面示意图；图4b为图2中步骤S202对应的一实施方式的结构示意图；图4c为图2中步骤S203对应的一实施方式的结构示意图；图4d为图2中步骤S204对应的一实施方式的结构示意图；图5a为图1中步骤S101对应的一实施方式的结构示意图；图5b为图1中步骤S102对应的一实施方式的结构示意图；图5c为图1中步骤S103对应的一实施方式的结构示意图；图5d为图1中步骤S104对应的一实施方式的结构示意图；图6为本申请扇出型封装器件一实施方式的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1为本申请扇出型封装方法一实施方式的流程示意图，该扇出型封装方法包括：S101：将金属柱14的一端贴附于载盘20上，其中，金属柱14位于芯片100的功能面1002上，且与芯片100的功能面1002上的焊盘1000电连接。在一个实施方式中，请参阅图2，图2为图1中步骤S101之前本申请扇出型封装方法一实施方式的流程示意图。在上述步骤S101之前，本申请所提供的扇出型封装方法还包括：S201：提供圆片10，圆片10设有若干矩阵排列的芯片100，芯片100之间设有划片槽102，圆片10包括正面104及背面106，芯片100的焊盘1000位于正面104。具体地，请参阅图3和图4a，图3为圆片一实施方式的结构示意图，图4a为图3中圆片一实施方式的剖面示意图。该圆片10可以为市售中任意一种，该圆片10可以为硅基底、锗基底等。芯片100可以通过其表面的焊盘1000与外界电路进行信号传递。S202：在圆片10的正面104形成第一再布线层12，第一再布线层12与位于正面104的焊盘1000电连接。具体地，请参阅图4b，图4b为图2中步骤S202对应的一实施方式的结构示意图。上述形成第一再布线层12的过程可以为：在圆片10的正面104形成第一钝化层，第一钝化层对应焊盘1000的位置设置有第一通孔；在第一钝化层远离正面104的一侧形成第一种子层，第一种子层的材质可以为铝、铜、金、银中至少一种，形成第一种子层的工艺可以为溅射工艺或物理气相沉积工艺；在第一种子层表面形成第一掩膜层，并在第一掩膜层对应焊盘1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：/n将金属柱的一端贴附于载盘上，其中，所述金属柱位于芯片的功能面上，且与所述芯片的所述功能面上的焊盘电连接；/n在所述芯片的所述功能面与所述载盘之间形成底填胶，所述底填胶覆盖所述金属柱；/n在所述载盘设置有所述芯片一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片以及所述底填胶；/n去除所述载盘。/n

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：
将金属柱的一端贴附于载盘上，其中，所述金属柱位于芯片的功能面上，且与所述芯片的所述功能面上的焊盘电连接；
在所述芯片的所述功能面与所述载盘之间形成底填胶，所述底填胶覆盖所述金属柱；
在所述载盘设置有所述芯片一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片以及所述底填胶；
去除所述载盘。


2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，
在所述载盘至所述芯片的所述功能面方向上，所述底填胶的竖截面为梯形。


3.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述在所述芯片的所述功能面与所述载盘之间形成底填胶，包括：
在所述芯片的所述功能面的边缘与所述载盘之间形成围坝，所述金属柱位于所述围坝围设的区域内；
在所述围坝围设的区域内形成所述底填胶。


4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，
所述底填胶与所述围坝的材质相同。


5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述将金属柱的一端贴附于载盘上之前，所述封装方法包括：
提供圆片，所述圆片设有若干矩阵排列的芯片，所述芯片之间设有划片槽，所述圆片包括正面及背面，所述芯片的所述焊盘位于所述正面；
在所述圆片的所述正面形成第一再布线层，所述第一再布线层与位于所述正面的所述焊盘电连接；
在所述第一再布线层远离所述圆片一侧形成所述金属柱，所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：王耀尘，李尚轩，石佩佩，
申请(专利权)人：南通通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32